Laboratorium Elektroniki cz I 9

Laboratorium Elektroniki cz I 9



254

D2. PARAMETRY WYBRANYCH ELEMENTÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

DIODY

1. Diody prostownicze

Parametry graniczne (tamb = 25°C)

Parametry charakterystyczne (tamb = 25*C)_

Oznaczenie

1

Ursm

lo

Ifsm przy

UF

przy

Ir przy

diody

Urwm

(Urrm)

(If)

ti

t

If

U,

V

V

A

A

°c

ms

°c

V

A

PA

V

max

max

max

max

max

max

BYP 150-100

100

200

0,4

15

150

1.,5

1

5

300

BYP 155-350

300

(350)

(1.2)

40

150

10

150

1.25

5

750

BYP 401-200

200

400

1

50

10

150

1.1

1

5

400

BYP 671-350

300

(350)

(5)

60

150

10

150

1.25

5

200

BYP 680-600

600

1000

5

60

150

10

150

1.3

5

50

600

t, - temperatura złącza t - czas trwania impulsu

255


powered by

Mi sio!


<D

&

rz

N

&

a>


>s

■o

O

mm

Q


CM


o

0

10

CM

11

j

0)

c

N

§

1 0)

2

2

o

g

o

E

2

(0

a.

i

%

^CL

MHz

------

1=

>

s

CC

o o o o o O O

i

cr

O

LL

CL

max

CO lO t-CMtJ-CMCMIOIOCM

GC

>

&

CL

fc

>

CO CO r- o O co

</>

c

max

300

CM CM CO TT O O CM lO CO

*

E

3

>%

CL

Jt

>

OOlOOOOOO

oiocmioioiooio

co 1- CM

<

c

a

E

oooooooo

OOOOOOOlO CO " ^

>N

N

k.

CL

u.

3

<

E

O O O O O O O lO Wr OOOlfl

>

max

co

lO CM

COOOCOCDOOO

•••••••#

r-T-T-OO-^T-r-

min

0.82

Parametry graniczne (tamb = 25°C)

p

max

150

175

125

150

200

175

175

OAA

3

Si

o

CL

i

max

o o o o o o c lO O lO o o o c

CM T- CO ^ Tf U

>

Jj

<

E

8

E

2 2° o'o" ° o o °°co55cocoio OCMTtggcMCM^ CM

U.

<

E

max

400

O O O O O O O

co o co o o o o

CM CO CM CM CM

>

max

0*1010000010 o^-cor^coooior-(O — cm

d

3

>

max

O lO o o o o o LO CM N lO CO O lO T- CM

Oznaczenie

wyrobu

BA 158 BAE 795 BAP 794 BAR 99 BAVP 10 BAVP 20 BAVP 21 BAYP 95



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz I 9 254D2. PARAMETRY WYBRANYCH ELEMENTÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCHDIODY1. Dio
Laboratorium Elektroniki cz I 9 34 1.    parametry charakterystyczne - są to optyma
Laboratorium Elektroniki cz I 9 74 3.2.3. Parametry małosygnałowe tranzystora w układzie OE Defini
Laboratorium Elektroniki cz I 9 74 3.2.3. Parametry małosygnałowe tranzystora w układzie OE 74 Def
Laboratorium Elektroniki cz I 4 264D3. PARAMETRY WYBRANYCH MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH i. Materi
Laboratorium Elektroniki cz I 9 Ćwiczenie 13POMIARY PARAMETRÓW WZMACNIACZA OPERACYJNEGO13.1. Cel ć
Laboratorium Elektroniki cz I 4 264D3. PARAMETRY WYBRANYCH MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH 1. Materi

więcej podobnych podstron