Laboratorium Elektroniki cz I 4

264

D3. PARAMETRY WYBRANYCH MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

i. Materiały na fotodetektory

Materiał	Struktura	Absorpcja	Tp[K]	B [nm]	nl%]	T.[sJ	DfcrrWHz/ W]
Si	m	S	300	0,3-1,2
Si	m	D	4,2; 77	14-20
Ge	m	S	300	0.4-1,7
Ge+Au	m	D	77	3-9	0,2-0,3	3-10^8	10‘°
Ge+Hs	m	D	27	6-14	0,6	10'^7	5m0’°
Ge+Cu	m	D	4,2	12-27	0,2-0,6	2-10*	4-10^10
PbS	W	S	300	0,9-2,8		10^J	10"
PbSe	w	S	300	0,5-4,2		2* 10'^6	2<10 ^1U
InSb	m	S	77	3,6-7,3	0,5-0,8	10^8	3-10^8
InSb	m	S	300	3,0-5,6	0,5-0,8	10°	10"
GaAs	m	S	300	0,5-0,9
Se	m	S	300	0.5-0,7
Tp - temperatura pracy B - szerokość pasma pracy r) - sprawność kwantowa t, - czas odpowiedzi				m - monokryształ w - cienka warstwa polikrystaliczna S - fotoprzewodnictwo samoistne D - fotoprzewodnictwo domieszkowe

2. Materiały na diody elektroluminescencyjne

^p, [nm]	Barwa	Materiał	uFm’	Iv [mcd]*	P« [UW]’	Tle [%]’
900	podczerwień	GaAs	1,3-1,5	-	10--10^3	1-5
655	czerwony	GaAsP	1,6-1,8	0,4-1	1-2	0,01-0,03
635	jasnoczerwony	GaAsP	2,0-2,2	2-4	5-10	0,03
610	pomarańczowy	GaAsP	2,0-2,2	2-4	5-10	0,03
583	żółty	GaAsP	2,0-2,2	1-3	3-8	0,03
565	zielony	GaP	2,2-2,4	0,5-3	1,5-8	0,01
450	niebieski	SiC	2,6-3	0.5-2	1,5-6	0,001
370	ultrafioletowy	GaN	2,6-3	-
* - pomiary dla prądu lF = 10 mA

D4. PARAMETRY METROLOGICZNE PRZYRZĄDÓW I Mi S 1 01 POMIAROWYCH    i

Multimetr V561

Funkcja	Zakres		Rozdzielczość „w”		KL[%]	n	Błąd pomiaru
	mV	200	mV	0,1	0,5	i	0,5—+ w 100
Napięcie stałe	V	2	mV	l
	V	20	mV	10
	V	200	mV	100
	V	1000	V	1
Napięcie przemienne	mV	200	mV	0,1	1,0	5	1,0 —+ 5w 100
	V	2	mV	1
	V	20	mV	10
	V	200	mV	100
	V	750	V	1
Prąd stały	PA	200	PA	0,1	0,5	3	nc, ^a * -i. u,
	mA	2	pA	1
	mA	20	PA	10			’ 100
	mA	200	PA	100
	A	10	mA	1	1,5	3
Prąd przemienny	mA	2	PA	1	1.5	5	,, a
	mA	20	PA	10
	mA	200	PA	100			' 100
	A	2	mA	1
	A	10	mA	10	2,0	5
Rezystancja	Q	200	Cl	0,1	fi ^	5
	kii	2	n	1
	kO	20	n	10
	kQ	200	n	100			’ 100
	MŚ2	2	kO	1
	MQ	20	kC2	10

a - wskazanie miernika w - rozdzielczość n - mnożnik

K_l - klasa miernika cyfrowego