Laboratorium Elektroniki cz I 9

Laboratorium Elektroniki cz I 9



254

D2. PARAMETRY WYBRANYCH ELEMENTÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

DIODY

1. Diody prostownicze

Parametry graniczne (t^ = 25°C)

Parametry charakterystyczne _(tumb = 25X)_

Oznaczenie

, ,

Ursm

lo

Ifsm przy

UF

przy

Ir przy

diody

(Urrm)

(If)

t)

t

ti

If

Ur

V

V

A

A

°C

ms

°c

V

A

pA

V

max

max

max

max

max

max

BYP 150-100

100

200

0,4

15

150

1.,5

1

5

300

BYP 155-350

300

(350)

(1.2)

40

150

10

150

1.25

5

750

BYP 401-200

200

400

1

50

10

150

1.1

1

5

400

BYP 671-350

300

(350)

(5)

60

150

10

150

1.25

5

200

BYP 680-600

600

1000

5

60

150

10

150

1.3

5

50

600

t, - temperatura złącza t - czas trwania impulsu

powered by

Mi siol


o

o


Parametry charakterystyczne (taml) = 25°C)

^O.

N

X

5

------

y

>

oooooooo

CD

a

O

UL

CL

max

co co ^-cm-^cmcmididcm

s

3

>>

§

CL

C

>

CO CD ł- O O CO

T— T-

</>

c

max

OCMCMCO^TOOCM o id id co

s

3

&

CL

JT

>

OOiDOOOOO

oidcmidididoid

CO r- CM

<

c

max

5000

100

100

100

100

100

100

50

_u.

N

CL

3

<

E

1-0000000 CO CO r O O O ID

>

max

ID

ID CM

cooocooooo

1-’ 1-’ 1-' Ó 6 T-' T-: T-

min

CM

co

o

Parametry graniczne (W, = 25°C)

♦**

p

s

E

150

175

125

150

200

175

175

200

§

Gl

5

E

max

S o ° o o o o

i- CM *- ID -O- CD

i 3

<

E

s

E

2000

200

450

(200)

(600)

250

250

450

-

<

E

max

oooooooo OCOOGOOOOO ■M- CM CO CM CM CM

JJ

>

max

5*10 ID O O O O ID gNCONŁDCO^N CD — CM

tr

3

>

max

O ID O O O O O ID CM Nin U) O ifi

1- CM

Oznaczenie

wyrobu

BA 158 BAE 795 BAP 794 BAR 99 BAVP 10 BAVP 20 BAVP 21 BAYP 95



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz I 9 254D2. PARAMETRY WYBRANYCH ELEMENTÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH DIODY 1. D
Laboratorium Elektroniki cz I 9 34 1.    parametry charakterystyczne - są to optyma
Laboratorium Elektroniki cz I 9 74 3.2.3. Parametry małosygnałowe tranzystora w układzie OE Defini
Laboratorium Elektroniki cz I 9 74 3.2.3. Parametry małosygnałowe tranzystora w układzie OE 74 Def
Laboratorium Elektroniki cz I 4 264D3. PARAMETRY WYBRANYCH MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH i. Materi
Laboratorium Elektroniki cz I 9 Ćwiczenie 13POMIARY PARAMETRÓW WZMACNIACZA OPERACYJNEGO13.1. Cel ć
Laboratorium Elektroniki cz I 4 264D3. PARAMETRY WYBRANYCH MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH 1. Materi

więcej podobnych podstron