Laboratorium Elektroniki cz I 7

70

Charakterystki zwrotne tranzystora rzeczywistego wykazują istnienie sprzężenia zwrotnego pomiędzy wyjściem i wejściem tranzystora. Zjawisko to objawia się istnieniem nachylenia tych charakterystyk, a spowodowane jest efektem modulacji efektywnej szerokości bazy sprzężonym z dodatkową polaryzacją złącza emiterowego poprzez napięcie Uce-

3.2.2. Parametry statyczne tranzystora w układzie OE

Poniżej omówiono najważniejsze spośród parametrów statycznych tranzystora dla pracy w układzie OE.

1. Maksymalna dopuszczalna moc strat P_max - jest to maksymalna moc, jaka może się wydzielić na obu złączach tranzystora, przy której może on pracować w sposób długotrwały.

Można ją wyznaczyć na podstawie wyrażenia:

Pmax = IcUcE + IbUbe “ IcUcE

Krzywa mocy jest hiperbolą lc = Pma*/UcE, co przedstawiono na rys. 3.5.

2. Prąd maksymalny lcmax - maksymalny prąd kolektora wynikający ze zmian współczynnika wzmocnienia prądowego prowadzących do dużych zniekształceń nieli-

piowych badanego sygnału lub z nadmiernej ilości ciepła wydziela

storze (rys. 3.5).

3 Prądy zerowe Iceo. Ices. Icer

prąd zerowy kolektora I_Ceo (rys. 3.5) jest prądem wstecznym złącza kolektorowego mierzonym przy rozwartej bazie (l₀ = 0) dla określonego napięcia Uce- Przy takiej polaryzacji tranzystora przez złącza kolektorowe płyną dwa prądy: Icbo oraz prąd nośników wstrzykiwanych przez spolaryzowane w kierunku przewodzenia złącze emiterowe.

Tak więc

i    *CBO _ cR ₊ i\i

^lCEO    tP_N-r*J‘_CB0

i

Prąd zerowy I_Cer - jest prądem wstecznym złącza kolektorowego mierzonym przy włączeniu pomiędzy bazę a emiter rezystora R (rys. 3.9) dla określonej wartości napięcia Uce- Rezystor R bocznikuje złącze baza-emiter powodując zmniejszenie poziomu wstrzykiwania nośników z emitera do bazy.

Prąd zerowy I_Ces - jest prądem wstecznym złącza kolektorowego mierzonym przy zwarciu pomiędzy bazą a emiterem (R = O) dla określonego napięcia Uce- W przypadku tranzystora idealnego, dla rozproszonej rezystancji bazy r_bt) = 0 prąd ten byłby równy prądowi I_Cbo- Spadek napięcia na rezystancji r_bb > 0 powoduje jednak pewną polaryzację złącza emiterowego w kierunku przewodzenia, a tym samym istnieje składowa prądu wstecznego złożona z nośników wstrzykiwanych z emitera do bazy. Iceo > Icer > Ices > Icbo

4 Napięcie przebicia U_Ceo. U_Cer, U_Ces (rys. 3.6)

Maksymalne wartości napięć polaryzujących tranzystor ograniczone są przez zjawisko przebicia. Przebicie prowadzi do znacznego i gwałtownego wzrostu prądu danej elektrody i może doprowadzić do zniszczenia tranzystora.

Istnieją cztery podstawowe mechanizmy przebić, takie jak:

-    przebicie Zenera (złącze E-B tranzystorów dryftowych o napięciu przebicia mniejszym od 6 V);

-    przebicie lawinowe (złącza C-B tranzystorów dryftowych oraz obydwa złącza tranzystorów bezdryftowych);

-    przebicie skrośne (polega na wchłonięciu obszaru bazy przez warstwy zaporowe złącz na skutek zjawiska modulacji efektywnej szerokości bazy);