Laboratorium Elektroniki cz I 7

90

2.    Wyznaczenie charakterystyki wyjściowej Id = f(Uos)

-    pomiar należy przeprowadzić dla co najmniej sześciu wartości napięcia bramki* Uds. w tym dla Ugs = 0, Ugs = Up, Ugs = Up + 0,1 V,

-    w trakcie pomiaru należy przyjąć co najmniej dziesięć wartości napięcia Uds. I

3.    Wyznaczenie charakterystyki przejściowej l_D = 1(Ugs)

-    pomiar należy przeprowadzić dla co najmniej pięciu wartości napięcia drenu U_Ds(np.:0V, 3V.5V.10V).

4.    Zamienić miejscami dren ze źródłem. Przeprowadzić pomiar charakterystyki wyj. ściowej l_s = f(UsD) wg punktu 2.

5.    Przy zamienionym miejscami drenie ze źródłem zmierzyć charakterystyki przej. ściowe l_s = f(UsG) wg punktu 3.

6.    Wyznaczenie charakterystyki wejściowej l_G = f(UsG)

-    pomiary przeprowadzić dla co najmniej trzech wartości napięcia U_Dsi. napięcie Ugs zmieniać w granicach od 0 do 2 U_p, a następnie odwrócić polaryzację fi zmieniać napięcie od 0 do +0,5 V (kanał n) lub 0 do -0,5 V (kanał p).

Podstawowy układ do badania tranzystorów potowych złączowych przedstawionej na rys. 4.6.

Rys. 4.6. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych

4.6. Tematy do opracowania

1.    Wyniki pomiarów z punktów 2-6 przedstawić na wykresach.

2.    Dla obranego punktu pracy (w obszarze dozwolonym) wyznaczyć z charakterystyk parametry g_d, g_m, gas elektrycznego schematu zastępczego.

3 Wyznaczyć i podać wartości parametrów statycznych: l_DSs, Udss. Up,

powered by

Mi siol

roS(OFF)-

•4 sprawdzić zgodność wyników otrzymanych przy obliczaniu transkonduktancji wg wzorów (4.8) i (4.9) z wynikami uzyskanymi za pomocą charakterystyk statycznych. Obliczyć i wykreślić zmianę transkonduktancji g_m w całym przebadanym zakresie nasycenia obydwoma metodami.

5 sprawdzić zgodność wyników otrzymanych przy obliczaniu konduktancji wyjściowej wg wzoru (4.10) z wynikami uzyskanymi za pomocą charakterystyk statycznych. Przedstawić zmiany konduktancji wyjściowej w całym przebadanym zakresie.

6.    Porównać charakterystyki otrzymane normalnie i po zmianie miejscami drenu ze źródłem. To samo dotyczy parametrów statycznych i małosygnałowych.

7.    Na podstawie pomiarów wyznaczyć charakterystykę R_DS = f(UGs).

8.    Scharakteryzować przebadane tranzystory wykorzystując wyniki pomiarów oraz dane katalogowe.

4.7. Literatura

1. W. Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT, Warszawa 1984, s. 317-342.

2.    Z. Korzec, T. Kacprzak: Tranzystory połowę złączowe. WNT, Warszawa 1984, s. 15-66, 109-123.

3.    K. Waczyński: Przyrządy półprzewodnikowe. Skrypt Pol. Śl. nr 2022. Gliwice 1997

4.    W. Golde: Wzmacniacze tranzystorowe. WNT, Warszawa 1975.

5.    Encyklopedia techniki. Tom: Elektronika. WNT, Warszawa 1983.

6.    J. Kołodziejski, L. Spiralski, E. Stolarski: Pomiary przyrządów półprzewodnikowych. WKŁ, Warszawa 1990.