23733 Laboratorium Elektroniki cz I 6

68

Rys. 3.2. Charakterystyki wyjściowe tranzystora w układzie OE

Równanie sugeruje istnienie prądu zerowego płynącego przez tranzystor przy prądzie Ib = 0, co jest zgodne z rzeczywistością. W rzeczywistym tranzystorze w tym zakresie pracy obserwuje się jednak wzrost wartości prądu przy wzroście napięcia Uce- Nachylenie charakterystyki wejściowej dla układu OE jest większe niż dla układu OB. Zjawisko to powodowane jest przez dwa efekty:

-    modulację szerokości bazy, analogicznie jak w układzie OB,

-    dodatkowe wstrzykiwanie nośników ładunku z emitera, spowodowane przez fakt dodatkowej polaryzacji złącza emiterowego w kierunku przewodzenia przez napięcie Uce, które dzieli się pomiędzy złącza kolektorowe i emitorowe.

Dla napięć U_Ce < Ube obydwa złącza tranzystorowe znajdują się w stanie przewodzenia. W związku z tym przy U_Ce = 0 przez tranzystor płynie prąd kolektora rzędu kilkudziesięciu mikroamperów, a przy lc = 0 pomiędzy kolektorem i emiterem istnieje napięcie Uce rzędu kilku miliwoltów. Tym samym charakterystyki wyjściowe nie rozpoczynają się w początku układu współrzędnych, ale zjawisko to ma istotne znaczenie tylko w niektórych zastosowaniach tranzystorów.

Charakterystyki przejściowe (rys. 3.3)

Przy normalnej pracy tranzystora (Uce ^ Ube) prąd kolektora zależy wprost proporcjonalnie od prądu bazy (równanie (3.4)). W rzeczywistym tranzystorze występuje niewielka nieliniowość spowodowana zależnością wartości współczynnika wzmocnienia prądowego (3n = f(lc) od prądu kolektora lc-

Rys. 3.3. Charakterystyki przejściowe tranzystora w układzie OE

Wpływ wartości napięcia U_CE na przebieg tej charakterystyki spowodowany jest zjawiskiem modulacji efektywnej szerokości bazy.

Charakterystyki zwrotne (rys. 3.4)

(V)

0.7

0,5

0,4

0,3

0,1 -

0

			30jjA
	n-p-n
			5jjA
	JB-par	■ametr
			IjuA
			J8 = 0jjA

10

Ube

0,8

0,6 0,2

Uę 20 [V]

o

Rys. 3.4. Charakterystyki zwrotne tranzystora w układzie OE

15