Laboratorium Elektroniki cz I 6

68

68

[mA]	n-p-n ,	Ja -parametr
			40
i			30
			20
\			10
			Jb-0
C._1_

Uch

Rys. 3.2. Charakterystyki wyjściowe tranzystora w układzie OE

20 [V]

Równanie sugeruje istnienie prądu zerowego płynącego przez tranzystor przy prądzie l_B = 0, co jest zgodne z rzeczywistością. W rzeczywistym tranzystorze w tym zakresie pracy obserwuje się jednak wzrost wartości prądu przy wzroście napięcia Uce- Nachylenie charakterystyki wejściowej dla układu OE jest większe niż dla układu OB. Zjawisko to powodowane jest przez dwa efekty:

-    modulację szerokości bazy, analogicznie jak w układzie OB,

-    dodatkowe wstrzykiwanie nośników ładunku z emitera, spowodowane przez fakt dodatkowej polaryzacji złącza emiterowego w kierunku przewodzenia przez napięcie Uce. które dzieli się pomiędzy złącza kolektorowe i emitorowe.

Dla napięć U_Ce < U_BB obydwa złącza tranzystorowe znajdują się w stanie przewodzenia. W związku z tym przy U_Ce = 0 przez tranzystor płynie prąd kolektora rzędu kilkudziesięciu mikroamperów, a przy lc = 0 pomiędzy kolektorem i emiterem istnieje napięcie Uce rzędu kilku miliwoltów. Tym samym charakterystyki wyjściowe nie rozpoczynają się w początku układu współrzędnych, ale zjawisko to ma istotne znaczenie tylko w niektórych zastosowaniach tranzystorów.

Charakterystyki przejściowe (rys. 3.3)

Przy normalnej pracy tranzystora (Uce 5 U_Be) prąd kolektora zależy wprost proporcjonalnie od prądu bazy (równanie (3.4)). W rzeczywistym tranzystorze występuje niewielka nieliniowość spowodowana zależnością wartości współczynnika wzmocnienia prądowego |3n = f(lc) od prądu kolektora l_c.

powered by

Mi sio!

Rys. 3.3. Charakterystyki przejściowe tranzystora w układzie OE

Wpływ wartości napięcia Uce na przebieg tej charakterystyki spowodowany jest zjawiskiem modulacji efektywnej szerokości bazy.

Charakterystyki zwrotne (rys. 3.4)

Rys. 3.4 Charakterystyki zwrotne tranzystora w układzie OE