60
ich wartości nie zależą od częstotliwości. Spośród wielu parametrów czwómikowych najszersze zastosowanie mają parametry mieszane hy.
Definiuje się je następująco:
- impedancja wejściowa przy zwartym wyjściu
AUpr
hj lb =-— dla AUC0 = 0 i UCB = const
Alg
- admitancja wyjściowa przy rozwartym wejściu
Alr
h.,,. =-— dla AIC = 0 i Ic = const
22b aucb e e
- współczynnik oddziaływania wstecznego przy rozwartym wejściu
AUPR
h.,. =-— dla Alp = 0 i Ip = const
12b aucb e e
- współczynnik wzmocnienia prądowego przy zwartym wyjściu
Alr
h,,b = ci = —— dla AUcb = 0 i UCB = const
Parametry mieszane hijb umożliwiają podanie elektrycznego schematu zastępczego dla tranzystora (rys. 2.8a), który jest modelem typu „czarnej skrzynki”. Nato-
Rys. 2.8. Elektryczne schematy zastępcze tranzystora w układzie OB a) model czwórnikowy dla parametrów mieszanych, b) model typu „hydryd -n”
miast na rys. 2.8b zamieszczono model fizyczny, którego elementy odwzorowują zjawiska fizyczne zachodzące w tranzystorze bipolarnym. Poniżej zamieszczono zależności umożliwiające obliczanie elementów tego modelu, przy znajomości parametrów hijb:
Scb©
Scb© _ ^22b Sec ~ ' Sra
a
1
1-a
gdzie tpt - potencjał elektrokinetyczny.
1. Wyjaśnić zasadę działania tranzystora bipolarnego.
2. Przedstawić i omówić czwómikowe modele tranzystora bipolarnego wykorzystujące macierze: impedancyjną, admitancyjną i hydrydową
3. Przedstawić i omówić model fizyczny tranzystora bipolarnego.
4. Wyjaśnić różnice i związki pomiędzy modelami czwómikowymi i fizycznymi.
5. Omówić zjawisko modulacji szerokości bazy.
6. Omówić podstawowe technologie wytwarzania tranzystorów.
7. Omówić parametry statyczne tranzystora bipolarnego w układzie OB.
8. Omówić charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego w układzie OB.
9. Przedstawić i wyjaśnić sposób wyznaczania charakterystyk statycznych tranzystora w układzie OB.
10. Przedstawić i wyjaśnić sposób otrzymywania parametrów modeli: czwómikowego-hybrydowego oraz fizycznego typu „hybryd-n" z charakterystyk statycznych tranzystora.