Laboratorium Elektroniki cz I 2

60

ich wartości nie zależą od częstotliwości. Spośród wielu parametrów czwómikowych najszersze zastosowanie mają parametry mieszane hjj.

Definiuje się je następująco:

- impedancja wejściowa przy zwartym wyjściu

^hl lb "

AU

EB

Al,

dla AUm = 0 i U™ = const

CB

CB

^h'^2b ' AU

— dla AI_£ = 0 i I_E = const CB

admitancja wyjściowa przy rozwartym wejściu

AI_r

h_OOK =-— dla Alp = 0 i I_n = const

^22b au_cb ^{e e}

współczynnik oddziaływania wstecznego przy rozwartym wejściu

AU,

- współczynnik wzmocnienia prądowego przy zwartym wyjściu

AI_r

h_?ib = a = —— dla AU_CB = 0 i U_CB = const

^aie

Parametry mieszane hyb umożliwiają podanie elektrycznego schematu zastępczego dla tranzystora (rys. 2.8a), który jest modelem typu „czarnej skrzynki”. Nato-

a)    b)

Rys. 2.8. Elektryczne schematy zastępcze tranzystora w układzie OB: a) model czwórnikowy dla parametrów mieszanych, b) model typu „hydryd -n"

miast na rys. 2.8b zamieszczono model fizyczny, którego elementy odwzorowują zjawiska fizyczne zachodzące w tranzystorze bipolarnym. Poniżej zamieszczono zależności umożliwiające obliczanie elementów tego modelu, przy znajomości parametrów hij_b:

g -Jł

^gm <Pt

m

powered by

Mi siol

Scb© ~ ^22b Sec ~ ^ 12b S

o = JLe.

^geb° a

^rbbC ~

i

/

1-a

^ I Ib ”

a

£ m

\

gdzie <pr - potencjał elektrokinetyczny.

2.3. Tematy sprawdzające

1.    Wyjaśnić zasadę działania tranzystora bipolarnego.

2.    Przedstawić i omówić czwórnikowe modele tranzystora bipolarnego wykorzystujące macierze: impedancyjną, admitancyjną i hydrydową.

3.    Przedstawić i omówić model fizyczny tranzystora bipolarnego.

4.    Wyjaśnić różnice i związki pomiędzy modelami czwórnikowymi i fizycznymi.

5.    Omówić zjawisko modulacji szerokości bazy.

6.    Omówić podstawowe technologie wytwarzania tranzystorów.

7.    Omówić parametry statyczne tranzystora bipolarnego w układzie OB.

8.    Omówić charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego w układzie OB.

9.    Przedstawić i wyjaśnić sposób wyznaczania charakterystyk statycznych tranzystora w układzie OB.

10. Przedstawić i wyjaśnić sposób otrzymywania parametrów modeli: czwórnikowego-hybrydowego oraz fizycznego typu „hybryd-n” z charakterystyk statycznych tranzystora.