Laboratorium Elektroniki cz I 4

84

w przypadku kanału typu p odpowiednio napięcie Uds ze znakiem - i napięcie U_GS ze znakiem +.

Charakterystyki przejściowe (rys. 4.2)

Rys. 4.2. Charakterystyki przejściowe tranzystora PN FET (kanał n)

Charakterystyki przejściowe tranzystorów polowych przedstawiają zależność prądu drenu lo od napięcia bramki Ugs- Ze względu na bardzo niewielką zależność przebiegu tych charakterystyk od napięcia drenu Uds w zakresie nasycenia, w katalogach podaje się jedną charakterystykę dla określonego napięcia Uds- W zakresie nienasycenia zależność ta jest tym bardziej widoczna, im mniejsze jest napięcie Uds-

Charakterystyki wejściowe (rys. 4.3)

Złącze p-n znajdujące się na wejściu tranzystora polowego złączowego normalnie jest spolaryzowane w kierunku zaporowym. Tym samym prąd bramki l_G jest prądem nośników mniejszościowych. Jego wartość dla krzemu w temperaturze 25°C wynosi około 1 nA (rys. 4.3b). Rezystancja wejściowa r_g tranzystora jest rzędu pojedynczych gigaomów. Przy polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia rezystancja wejściowa r_g gwałtownie maleje, ale warto zauważyć, że do napięcia Ugs rzędu 0,2-0,3 V w dalszym ciągu jest bardzo duża i zawiera się w granicach setek megaomów. Zjawisko to

gg    Ipowered by

| Mi siol

wykorzystuje się w przypadku zastosowania tranzystora polowego sterowanej napięciem rezystancji.

Rys. 4 3. Charakterystyki wejściowe tranzystora PN FET (kanał n)

4.2.3. Parametry statyczne tranzystora PN FET

Poniżej omówiono najważniejsze spośród parametrów statycznych tranzystora

PN FET.

¹- Maksymalna dopuszczalna moc strat P_max - jest to maksymalna moc, jaka może się wydzielić w obszarze kanału i w obszarze złącza p-n, przy której tranzystor może pracować bez przerwy w sposób długotrwały. Moc ta jest określona z pewnym zapasem przez producenta, w celu zapewnienia określonej niezawodności Pracy tranzystora:

P max = IgUgS + IdUdS = IdUqs

krzywa mocy admisyjnej jest hiperbolą Id = Pmax/U_Ds. co przedstawiono na rys. 4.4.