Laboratorium Elektroniki cz I 4

84

w przypadku kanału typu p odpowiednio napięcie Uos ze znakiem - i napięcie U_Gs ze znakiem +.

Charakterystyki przejściowe (rys. 4.2)

Rys. 4.2. Charakterystyki przejściowe tranzystora PN FET (kanał n)

Charakterystyki przejściowe tranzystorów polowych przedstawiają zależność prądu drenu b od napięcia bramki U_Gs- Ze względu na bardzo niewielką zależność przebiegu tych charakterystyk od napięcia drenu Uos w zakresie nasycenia, w katalogach podaje się jedną charakterystykę dla określonego napięcia U_Ds- W zakresie nienasycenia zależność ta jest tym bardziej widoczna, im mniejsze jest napięcie Uds-

Charakterystyki wejściowe (rys. 4.3)

Złącze p-n znajdujące się na wejściu tranzystora polowego złączowego normalnie jest spolaryzowane w kierunku zaporowym. Tym samym prąd bramki l_G jest prądem nośników mniejszościowych. Jego wartość dla krzemu w temperaturze 25°C wynosi około 1 nA (rys. 4.3b). Rezystancja wejściowa r_g tranzystora jest rzędu pojedynczych gigaomów. Przy polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia rezystancja wejściowa r_g gwałtownie maleje, ale warto zauważyć, że do napięcia Ugs rzędu 0,2-0,3 V w dalszym ciągu jest bardzo duża i zawiera się w granicach setek megaomów. Zjawisko to

powered by

Mi siol

wykorzystuje się w przypadku zastosowania tranzystora polowego zl sterowanej napięciem rezystancji.

Rys. 4.3. Charakterystyki wejściowe tranzystora PN FET (kanał n)

4.2.3. Parametry statyczne tranzystora PN FET

Poniżej omówiono najważniejsze spośród parametrów statycznych tranzystora

PN FET.

1. Maksymalna dopuszczalna moc strat P_max - jest to maksymalna moc, jaka może się wydzielić w obszarze kanału i w obszarze złącza p-n, przy której tranzystor może pracować bez przerwy w sposób długotrwały. Moc ta jest określona z pewnym zapasem przez producenta, w celu zapewnienia określonej niezawodności pracy tranzystora:

P max = IgUqs + Id^dS = IdUdS

Krzywa mocy admisyjnej jest hiperbolą Id = PrWUos. co przedstawiono na rys. 4.4.