Laboratorium Elektroniki cz I 3

102

3. Konduktancja wejściowa g_b - jest to konduktancja spolaryzowanego zaporowo złącza „p-n". Typowe wartości wynoszą, podobnie jak w tranzystorach PN F£ od setek do pojedynczych GO.

Elektryczne schematy zastępcze dla tranzystora polowego z izolowaną bramką bez wyprowadzonego podłoża i z wyprowadzonym podłożem przedstawiono ^rys-^5,5-    G o-o i--?-o D

Ur

gm U_GS

g ds

So-

-OS

a)

b)

Rys. 5.5. Elektryczne schematy zastępcze tranzystorów MIS (kanał n)

5.3. Tematy sprawdzające

1.    Wyjaśnić zasadę działania tranzystora MIS FET.

2.    Omówić i wyjaśnić różnice pomiędzy tranzystorami z kanałem zubożanym i wzbogacanym.

3.    Co to są tranzystory MESFET?

4.    Przedstawić podobieństwa i różnice pomiędzy tranzystorami PN FET a MIS FET.

5.    Omówić parametry statyczne tranzystora MOS FET.

6.    Przedstawić i omówić charakterystyki statyczne tranzystorów MIS FET.

7.    Omówić zasadę działania i właściwości tranzystorów IG FET z podwójną bramką.

8.    Przedstawić i omówić sposoby pomiaru parametrów statycznych tranzystorów

IG FET.

powered by

I

103

Mi sio!

przedstawić wpływ napięcia podłoża na własności tranzystora IG

0 przedstawić zasady polaryzacji tranzystorów potowych, porównać je z zasadami polaryzacji tranzystorów bipolarnych.

,1 WyP^{rowadzić zależność} (⁵-⁹)-

_i2 Wyjaśnić zjawisko trwałego uszkadzania tranzystorów MOS FET przy dotykaniu palcami elektrod. Podać sposoby zabezpieczania się przed tym zjawiskiem.

5.4. Aparatura pomiarowa

Do pomiaru charakterystyk statycznych służą uniwersalny tester przyrządów półprzewodnikowych i układów scalonych oraz woltomierze i amperomierze.

5.5. Program ćwiczenia

1.    Pomiar napięcia bramki Ugs(off) (lub napięcia progowego bramki Ugsot)- ^Za °a-

pięcie odcięcia przyjąć takie napięcie Ugs. przy którym prąd drenu Id « 100 pA.

Pomiar przeprowadzić dla 4 wartości napięcia Uos-

2.    Wyznaczenie charakterystyki wyjściowej Id = f(U_Ds):

-    pomiary należy przeprowadzić dla co najmniej sześciu wartości napięcia bramki Uqs (w tym dla U_Gs = 0, U_Gs = Ut),

-    w przypadku tranzystora z wyprowadzonym podłożem należy pomiary powtórzyć dla co najmniej trzech wartości napięcia U_Bs (w tym U_Bs = 0).

3.    Zamienić miejscami dren ze źródłem i powtórzyć pomiary z punktu 2.

4.    Wyznaczenie charakterystyki przejściowej Id = f(UGs):

-    pomiary należy przeprowadzić dla co najmniej pięciu wartości napięcia drenu Uos (w tym dla U_Ds = 0),

-    w przypadku tranzystora z wyprowadzonym podłożem należy pomiary powtórzyć dla co najmniej trzech wartości napięcia U_Bs (w tym U_Bs = 0).

Zamienić miejscami dren ze źródłem i powtórzyć pomiary z p. 4.

6- Wyznaczyć charakterystykę Id = f(U_Ds):

-    pomiary przeprowadzić dla zwarcia ramki z drenem (U_Go = 0).