87132 Laboratorium Elektroniki cz I 3

102

3. Konduktancja wejściowa gb - jest to konduktancja spolaryzowanego zaporowo złącza „p-n”. Typowe wartości wynoszą, podobnie jak w tranzystorach PN FET, od setek Mft do pojedynczych GQ.

Elektryczne schematy zastępcze dla tranzystora polowego z izolowaną bramką bez wyprowadzonego podłoża i z wyprowadzonym podłożem przedstawiono na

a)

b)

Rys. 5.5. Elektryczne schematy zastępcze tranzystorów MIS (kanał n)

5.3. Tematy sprawdzające

1.    Wyjaśnić zasadę działania tranzystora MIS FET.

2.    Omówić i wyjaśnić różnice pomiędzy tranzystorami z kanałem zubożanym i wzbogacanym.

3.    Co to są tranzystory MESFET?

4.    Przedstawić podobieństwa i różnice pomiędzy tranzystorami PN FET a MIS FET.

5.    Omówić parametry statyczne tranzystora MOS FET.

6.    Przedstawić i omówić charakterystyki statyczne tranzystorów MIS FET.

7.    Omówić zasadę działania i właściwości tranzystorów IG FET z podwójną bramką.

8.    Przedstawić i omówić sposoby pomiaru parametrów statycznych tranzystorów

IG FET.

g. Przedstawić wpływ napięcia podłoża na własności tranzystora IG F lO.Przedstawić zasady polaryzacji tranzystorów polowych, porównać polaryzacji tranzystorów bipolarnych.

je z zasadami

11 .Wyprowadzić zależność (5.9).

12-Wyjaśnić zjawisko trwałego uszkadzania tranzystorów MOS FET przy dotykaniu palcami elektrod. Podać sposoby zabezpieczania się przed tym zjawiskiem.

5.4. Aparatura pomiarowa

Do pomiaru charakterystyk statycznych służą uniwersalny tester przyrządów półprzewodnikowych i układów scalonych oraz woltomierze i amperomierze.

5.5. Program ćwiczenia

1.    Pomiar napięcia bramki Ugs(off) (lub napięcia progowego bramki U_Gs(m))- Za napięcie odcięcia przyjąć takie napięcie Ugs, przy którym prąd drenu Id « 100 pA.

Pomiar przeprowadzić dla 4 wartości napięcia U_Ds-

2.    Wyznaczenie charakterystyki wyjściowej Id = f(Uos):

-    pomiary należy przeprowadzić dla co najmniej sześciu wartości napięcia bramki Uqs (w tym dla U_GS = 0, U_GS = U_T),

-    w przypadku tranzystora z wyprowadzonym podłożem należy pomiary powtórzyć dla co najmniej trzech wartości napięcia Ubs (w tym Ubs = 0).

3.    Zamienić miejscami dren ze źródłem i powtórzyć pomiary z punktu 2.

4.    Wyznaczenie charakterystyki przejściowej Id = f(UGs):

-    pomiary należy przeprowadzić dla co najmniej pięciu wartości napięcia drenu Uds (w tym dla U_Ds = 0),

-    w przypadku tranzystora z wyprowadzonym podłożem należy pomiary powtórzyć dla co najmniej trzech wartości napięcia Ubs (w tym Ubs = 0).

5.    Zamienić miejscami dren ze źródłem i powtórzyć pomiary z p. 4.

6.    Wyznaczyć charakterystykę l_D = f(U₀s):

-    pomiary przeprowadzić dla zwarcia ramki z drenem (U_Gd = 0).