SAM�29 (Kopiowanie)

Struktura MIS (metal-izolator-półprzewodnik)

Warstwa

zubożona

granicznej pp-

—    i

Przyciągane elektrony - koncentracja rw■    , , nośników mniejszościowych jest

odpychanieo§^S*^{an zubo}*enia większą ocIkono.    Ste/7 /nwerą//

powierzchni    °    noanikow wfM(«oielfliim!ii «//_•*■»/1

granicznej pp-

dielefapjy, _T—,—_T—_T—_t—    —_t—    ,

iW¹'. Inwesyjna r|

Obszar

neutralny

Stan neutralny

y    <fU(3=0

Meta!

Dielektryk' A^c A* A° A^j A°j (• A° A° A°

Półprzewodnik

[A A A A A/

f a^s A” A- A° I A° A° A ■ Ar A<j - A³ Af A= Ap . -

Sfan akumulacji

c Uq<0

uhLbm ... . ITTTTTTTTtTT / Warstwa ± jj J TI TI I {j U akumulacyjna ff r ^    ^.1

przyciągane do feA ®A 1a <& j powierzchni i A° A» A°

W zubożona i[a    ^

r (A° Ar A° A⁶ i

Dia typu n tak samo, ale u_c Inne II