Wf Metal(brpmka)
• ''ojiBBE-_ ' MIS-
f Półprzewodnik I metal-insulator-semiconductor
I I— —- * metal-oxide-semiconductor
Kontakt omowy
illustracja schematyczna struktury MIS UG -potencjał bramki (elektrody metalowej) względem uziemionego podłoża półprzewodnikowego X,-grubość warstwy dielektrycznej
Struktura ideał na: - bez polaryzacji w elektrodzie, dielektryku oraz półprzewodniku nie ma nieskompensowanych ładunków elektrycznych (w || dowolnym obszarze makroskopowym ładunek elektryczny jest równy zero) t - Izolator jest idealny czyli w ogóle nie przewodzi prądu