skanowanie0004 (13)

KOLEGIUM KARKONOSKIE

INSTYTUT TECHNIKI jfC

m

PamiĘci półprzewodnikowe

Struktura FLOTOX - komórka pamięciowa układu EEPROM, podobna do FAMOS z wyjątkiem dodatkowej, bardzo cienkiej (> 20nm) warstwy tlenkowej ponad drenem.

Ug > 0 i Ud ⁼ 0 bramka swobodna j<PPt pojemnościowo sprzężona z dodatnim potencjałem bramki sterującej i elektrony są do niej przyciągane z drenu.

Uq = 0 i Ud > 0 następuje rozładowanie swobodnej bramki.

Bramka (poli krzem go poziomu

Tlenek

Bramka sterujaea (polikrzem drugiego

I

Tlerfgk

;@I&y

FLOTOX - Floating Gate Turmel Oxide;

struktura swobodnej bramki *- floatirĘ gate

Programowanie pamięci FLOTOX

selektywny zapis

kasowanie (ustalanie jedynek)

a

Linia kolumny b

Tranzystor

selekcyjny

nr

►20V

linia selekcji

Tranzystor

pamiętający

FL0T0X

m

►20V

linia programowania

0V