75636 skanowanie0003 (9)

Pamięci półprzewodnikowe

KOLEGIUM KARKONOSKIE INSTYTUT TECHNIKI

SiJ-3

Struktura FAMOS -komórka pamięciowa układu EPROM, wykorzystuje się zjawisko trwałego magazynowania ładunku w podbramkowej warstwie dielektryka, wprowadzonego przez wymuszenie napięciowe

0

FAMOS - Floating gate Avalanche-injection MOS; struktura swobodnej bramki - floating gate

♦25V    PROGRAMOWANIE

e~ - elektron gorący 10 ⁵V/cm

Si/Si0₂ -3,2eV

bariera energetyczna

A U_T

AQfg

C

AQ_fg —przyrost ładunku swobodnej bramki C — pojemność między bramką swobodną a ste-