solar zasada dzia322ania
Ogniwo fotowoltaiczne
+
szkło
półprzewodnik typu n (negative) pole elektryczne (bariera potencjału) półprzewodnik typu p (positive)
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
Schemat budowy ogniwa fotowoltaicznego.Ogniwo fotowoltaiczne szkło półprzewodnik typu n (negativel p
ba397m ogniwo2 Ogniwo fotowoltaiczne półprzewodnik typu n (negative) pole elektryczne (bariera
skrypt159 164 Rys. 10.1. Zjawisko Halla w płytce półprzewodnika typu n. I - prąd elektryce B - induk
skrypt160 Kys. 10.2. Sposób określenia kąia Halla w płytce półprzewodnika typu n. Kw - wypadkowy wek
skrypt141 144 Podobnie jak w przypadku półprzewodnika typu n, półprzewodnik typu p może zostać zdege
skanuj0018 2 W półprzewodniku typu n: a) dziury są nośnikami większościowymi, b)
1314844816840128354190)74885 o ( wic/cnie <>. Ogniwo fotowollaioznc. I Wykonanie ćwiczenia Wy
2.3. PÓŁPRZEWODNIK TYPU n I TYPU p (półprzewodniki niesamoistne) Półprzewodnik niesamoistny jest
Półprzewodnik, domieszkowanie półprzewodników, półprzewodnik typu n i typu p. Materiały ze względu n
W ten sposób wytwarza się półprzewodniki domieszkowane typu P lub N. Półprzewodnik typu N otrzymamy
w7 Struktura pasmowa izolator półprzewodnik przewodnik półprzewodnik typu
w7( Półprzewodnik typu p
p silnie 3. Narysuj modę! pasmowy domieszkowanego (Jp) półprzewodnika typu p siłnie
więcej podobnych podstron