zdjcie166d

Nf indeksu

Grupa

er?

2010.01,06

SMUWBZIA* SU 1 /, ELEMENTÓW KI.EKTRONICXNVCII ,,HM) l)lodv i lr*nrydnry MOS

owa&Ęij Fk*r Płotka. pploiknu di pg g<ł« p1» tal. 347-1634, pak. 301

MkliMtpBiNliftflilwMHi } ,,, * -7 V. pmiwutk /lacwwa pny ptżęd/iet /|> *** f(x Cp;^ i aapłfcł*    ftecat ł*y " 0.7 V

ZAOAME 28. Tnmjmr MOI takhdtoc jak mi rysaafesa. ZHMV aj * JV.    w^pMcsc|fMlBi

fW *    ¥» i:**; 1 fit 1

ZADANIE m Tranzystor MOS z kanałem typu o pracuje w obszarze aasycenia, przy niewielkiej częstotliwości napięcia Tmiaay £^ańp^< w układzie jak na rysunku. Znane ląit#" 10 ftft, * 12 V, Ł_m * 10 mV wartość napięcia stałego Koo“ U5V <kb wartość /Ł » 10 mA/V? Oblicz wartość trunskonduktanfijji gm jcztlt ampbtuda * -100 mV.