925
c
° Rys. 9.25. Tranzystor z diodą Schottky’ego przeciwdziałającą ^ nasyceniu i jego symbol graficzny
V +5V +5V
Rys. 9.26. Bramka TTL Schottky’ego małej mocy typu 74LSOO
Moc strat Patr = 2 mW Czas propagacji tp = 10 ns
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
1tom172 7. ELEKTRONIKA 346 Rys. 7.21. Tranzystor unipolarny złączowy JFET: a) struktura PNFET; symbo
a) b) Rys. 25.1.2.4. Sprawdzanie skuteczności ochrony przeciwporażeniowej obudowy urządzenia w
IMGc28 (2) Rys. 13. Widok prototypu sprzęgła przeciążeniowego o dużej podatności skrętnej przy wyzna
6 (1817) 25. Kontratakowanie pod bramką przeciwnika po wywalczeniu piłki i podaniach bez przyję
8 (806) 267 Najbardziej obciążonym miejscem jest linia przecięcia się kół tooznyoh z zarysami zębów
DSC00279 (25) Strefy pożarowe i oddzielenia przeciwpożarowe 1. Strefę pożarową stanowi budynek albo
M Feld TBM153 4.1. Przecinanie prętów walcowanych, ciągnionych, kształtowników oraz blach153 RYS. 4.
Image027 tronicznego. Ilustracją tego zjawiska jest rys. 1.25, z którego wynika, że przejściu od ele
więcej podobnych podstron