Obraz (4)

	... . r • r‘: - ... '
	Si -
	P, As, Sb, Bi, B.AI, Ga, In, T!
	Ge-
	P,As, Sb, B, Al, Ga, In, Tl
	GaAs -
	Se, Te, Zn, Cd
	32

*3^ 'Ły "T; '.'

fOC-yr

Zależność koncentracji samoistnej pó!przewodnS<a od temperatury

Półprzewodnik niesamoistny. domieszkowy

o w sieci krystalicznej monokryształu zamiast atomu pierwiastka materiału półprzewodnikowego znajduje się inny atom; o domieszka pierwiastka pięciowartośdowego - półprzewodnik typu n (domieszka akceptorowa);

o domieszka pierwiastka trzywartościowego - półprzewodnik typu p (domieszka donorowa);

Wystarczy stężenie zanieczyszczeń wynoszące jeden atom na 10¹² atomów krzemu, aby w temperaturze otoczenia uczynić z krzemu półprzewodnik domieszkowy/