Laboratorium Elektroniki cz I 6

208

Wzmocnienie prądowe K,t

W przypadku wzmocnienia prądowego wpływ obu pętli sprzężenia zwrotnego też ulega zsumowaniu, analogicznie jak w przypadku wzmocnienia napięciowego. Otrzymujemy więc następujące wyrażenie:

K:    -h,

Kjf =

2 lc

/

1 +

Re ₊ Rc

/

R

1 + h

2 le

Rn R,

(11.24)

Rr; R

:i + h_22tR_c)

Dla silnego sprzężenia zwrotnego upraszcza się ono do postaci:

^ki,‘ITA

R_g Rp

która również wykazuje stabilizacyjne właściwości układu.

Rezystancja wejściowa Rwei

Wpływ obu pętli sprzężenia zwrotnego kompensuje się wzajemnie:

h,, R.

(11.25)

R..._, = h,, , + łu, „R^-lu, „R,

21e c

‘wef Ile 21e E 21e El n , d

^h21e^KC^+KF

(11.26)

Umożliwia to poprzez dobór odpowiednich wartości obu składowych sprzężenia otrzymanie pożądanej wartości rezystancji wejściowej. W szczególnym przypadku można pomimo zastosowania ujemnego sprzężenia zwrotnego uzyskać nie zmienioną wartość rezystancji wejściowej. W przypadku silnego sprzężenia zwrotnego graniczna wartość R_we dana jest wzorem:

_ r_er_f "^f R_c

(11.27)

i wówczas otrzymujemy następujący warunek dla uzyskania nie zmienionej wartości

RpRc

rezystancji wejściowej: hj _le = R_wef ~ ^Ł

^Rc

Rezystancja wyjściowa R^yt

W przypadku wypadkowej rezystancji wyjściowej Rwyf dla sprzężenia mieszanego wpływ obu sprzężeń również się kompensuje:

^RF ^h21e^RE ^{+ h}lle ^{+ R}G

1_

^h21e    ^h21e^RE

(11.28)

a w przypadku silnego sprzężenia zwrotnego prowadzi do prostej p

(11.29)

R_FR_F R ^ ^E -F-

W R~

Również w tym przypadku można kontrolować wartość rezystancji wyjściowej, a warunek jej niezmienności (w porównaniu z układem bez sprzężenia zwrotnego) jest następujący:

^Rwy“h

1

22e

W przypadku obydwu wzorów (11.28) i (11.29) nie uwzględniono wpływu rezystancji kolektorowej Rc, która jest równolegle dołączona do wyrażonej przez te wzory rezystancji Rwy.

Należy zwrócić uwagę, że bardzo istotną zaletą tego układu jest fakt zapewnienia stabilizacji wzmocnień prądowego i napięciowego oraz - co jest nowością w porównaniu z obydwoma poprzednimi układami - stabilizacji wartości rezystancji wejściowej i wyjściowej. Wartości tych rezystancji nie zależą od parametrów tranzystora - patrz równanie (11.27) i (11.29).

11.2.4. Charakterystyki częstotliwościowe

W układach elektronicznych złożonych z elementów dyskretnych najczęściej w praktyce stosowane jest sprzężenie pojemnościowe, które zapewnia separację poszczególnych stopni kaskady od siebie. Ten sposób postępowania umożliwia indywidualną stabilizację każdego stopnia.

Najczęściej stosowany układ pojedynczego stopnia wzmacniającego przedstawiono na rys. 11.10a - jest to układ potencjometryczny ze sprzężeniem emiterowym wyposażony w kondensatory sprzęgające C_s i kondensator C_E blokujący (bocznikujący) rezystor emiterowy R_E. Występujące w tym układzie kondensatory Cs i C_E oraz pojemności pasożytnicze (montażowe pojemności rezystorów, pojemności złącz tranzystora) powodują uzależnienie od częstotliwości wzmocnienia oraz rezystancji wejściowej wzmacniacza. Zależność wzmocnienia wzmacniacza od częstotliwości nazywamy charakterystyką częstotliwościową.

Na rys. 11.11 przedstawiono typową charakterystykę częstotliwościową wzmocnienia wzmacniacza rezystancyjnego. Ze względu na zespolony charakter rzeczywi-