tort Tj w kierunku przewodzenia.
t#r tranzystor. t4. wynosi 10 Q. W ,tftnU
-'.,*cłu T4 ««UBy. o u.n*y!!. i0Qłc*"«j n.
vti«dxie wtórnika eaitoronsgo o r®*yBtnnc °r T3 Pracuj. „
100fi. Tranzystor Tj wraz z rezystorem R ł*'JJ4clo"»J około
tigureejl wzwecnlscza. zapewniając* odp0wiJ«jnl 4 Pr*CUJ* " kon-
be* tranzystorów T, 1 T4. Oeżali tranzyaror T* p0,l0BY "opięć
na Jago eaiterze Jaat nlakl potencjał mowy 8 3*#t ,łtk#nV.to
sterowania tranzystora T4, a na jago kolakt *rC**^,CY do *y-
wysoki polaryzujący tranzystor Tg w atani* °P** ^*#t potonol°*
nla nasycania tranzystora Tj. na j«g0 oalt prł,"°d*anle. w ota-
**T potencjał (*0.7 V). powodujący wyateroZ!!*?!* "*9l,dnU
1*0.9 V) ni.Myit.rczaj.cy do wajj,,, ™
T3* c2*U •P0l‘»«7«wani. w klarunku prz.wodz.nl. zl,cz. S ' -b#2a l*S° tranzystora 1 diody Tranzystor T >tt ‘
kany. Gdyby nla było diody Pr wówczas tranzyator T- pracowałby w atania przawodzania, gdyl różnica napięć na kolaktorach tranzystorów T2 1 T4. pracujących w stania nasycania (*0.7 V), byłaby wystarczająca do spolaryzowania złącza aaltar-baza tranzye-
—.— «a — ----—a -----• ■-*—•---•-' '
1/ Ha każdy, wolnya (niadołączonya) najściu alaaontu TTL występują potencjał wysoki, a więc jeśli ładna z najść braakl NAND nla jest nigdzie dołączona - na wyjściu braakl występuje potencjał nlakl (branka jaat w stania włączania), w przypadku wykorzystywania tylko jednego wejścia, pozostałych wolnych najść sołna nla uwzględniać 1 branka pracuja wówczas Jak lnwartar (układ negacji). Najwnlajszą wartość czasu propagacji uzyskuje się jednak wówczas, gdy dołączy się wejścia niewykorzystywane do wykorzystywanych najść taj saaej breski. Powoduje ta wzrost obcięłanla braakl .tarującej przy wysokie pozloaie napięcia na jaj wyjściu, bowlas prąd wyjściowy wzrasta o wartość prądu pobieranego przez dołączone wejścia. Przy niskie potencjale wyjś-elowye braakl sterującej obciążenie nie zalania się.
Ryt.3
:9