KIF)21

KIF)21



tort Tj w kierunku przewodzenia.


t#r tranzystor. t4. wynosi 10 Q. W ,tftnU

-'.,*cłu    T4 ««UBy. o u.n*y!!. i0Qłc*"«j n.

vti«dxie wtórnika eaitoronsgo o r®*yBtnnc °r T3 Pracuj. „

100fi. Tranzystor Tj wraz z rezystorem R ł*'JJ4clo"»J około

tigureejl wzwecnlscza. zapewniając* odp0wiJ«jnl 4 Pr*CUJ* " kon-

be* tranzystorów T, 1 T4. Oeżali tranzyaror T* p0,l0BY "opięć

na Jago eaiterze Jaat nlakl potencjał mowy 8 3*#t ,łtk#nV.to

sterowania tranzystora T4, a na jago kolakt *rC**^,CY do *y-

wysoki polaryzujący tranzystor Tg w atani* °P** ^*#t potonol°*

nla nasycania tranzystora Tj. na j«g0 oalt prł,"°d*anle. w ota-

**T potencjał (*0.7 V). powodujący wyateroZ!!*?!* "*9l,dnU

. ,,.J Siy&i.. «. Mann.    T "Tj'"* T*

1*0.9 V) ni.Myit.rczaj.cy do wajj,,, ™

T3* c2*U •P0l‘»«7«wani. w klarunku prz.wodz.nl. zl,cz. S ' -b#2a l*S° tranzystora 1 diody Tranzystor T >tt    ‘

kany. Gdyby nla było diody Pr wówczas tranzyator T- pracowałby w atania przawodzania, gdyl różnica napięć na kolaktorach tranzystorów T2 1 T4. pracujących w stania nasycania (*0.7 V), byłaby wystarczająca do spolaryzowania złącza aaltar-baza tranzye-

—.— «a —    ----—a -----• ■-*—•---•-'    '

Z-lwl» razyctor. R, jaat ojranlezani. rartodcl pr.de a .t.nl, przejście—y. z -0- da 1* „a ayjddu. gdy oba traozyat.ry T 1 T.    2*1,ł'“*i pr.de IMUlnli I^od napięcia „jJclJ

sago Ux przedstawiono na rya.3.2a. Inna,podstawowa właściwości eksploatacyjna branek TTL nożna scharakteryzować w punktach.:

1/ Ha każdy, wolnya (niadołączonya) najściu alaaontu TTL występują potencjał wysoki, a więc jeśli ładna z najść braakl NAND nla jest nigdzie dołączona - na wyjściu braakl występuje potencjał nlakl (branka jaat w stania włączania), w przypadku wykorzystywania tylko jednego wejścia, pozostałych wolnych najść sołna nla uwzględniać 1 branka pracuja wówczas Jak lnwartar (układ negacji). Najwnlajszą wartość czasu propagacji uzyskuje się jednak wówczas, gdy dołączy się wejścia niewykorzystywane do wykorzystywanych najść taj saaej breski. Powoduje ta wzrost obcięłanla braakl .tarującej przy wysokie pozloaie napięcia na jaj wyjściu, bowlas prąd wyjściowy wzrasta o wartość prądu pobieranego przez dołączone wejścia. Przy niskie potencjale wyjś-elowye braakl sterującej obciążenie nie zalania się.


Ryt.3


:9


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
tranzystory3 /c»0 Ilustracja działania tranzystora Pif: spolaryzowany w kierunku przewodzenia
T2 jest zatkany , zatkany jest również T3. W tym przypadku T4 przewodzi i daje poziom “H na wyjściu.
strona6 (6) Zadanie 20. Jeżeli złącze BE tranzystora bipolarnego spolaryzowane jest w kierunku przew
Image579 sterującego żarówką. Przy napięciu o wartości 0,6 V na rezystorze R nastąpi przewodzenie tr
KIF21 węaej (6) Mi-a1 2^ = 0 P
fia8 Zadanie 6 (1 pkt) W którym obwodzie przedstawionym na rysunku popłynie prąd w kierunku przewod
Monitor Uniwersytetu Warszawskiego nr 3A 21 marca 2007 r. Kierunek studiów:    Ochron
2013 05 21 339 ujęci* kierunków polityki gruntowej  jej instrumentów lestryiccyjnf ! na*tawJot

więcej podobnych podstron