150
1
(7.22)
gdzie: Uz(To) " naPięcie stabilizacji w temperaturze odniesienia T0.
Rys. 7.9. Zależność wartości temperaturowego współczynnika pz napięcia stabilizacji od wartości napięcia przebicia Uz
Tablica 7.4
Parametry diod serii BZP683C przy Iz = 5 mA
Typ |
C3V3 |
C3V9 |
C4V7 |
C5V6 |
C6V8 |
C8V2 |
C10 |
C16 |
C33 |
Pz no‘4/Ki |
-60 |
-55 |
-25 |
+30 |
+45 |
+55 |
+65 |
+80 |
+90 |
Rzin] |
100 |
100 |
90 |
60 |
15 |
10 |
15 |
40 |
90 |
Należy zwrócić uwagę na fakt, iż zmiana znaku współczynnika pz następuje w okolicach napięcia stabilizacji Uz z przedziału 5 V - 7 V, gdzie też obserwujemy najmniejsze bezwzględne wartości tego współczynnika. Wynika to ze współwystępowa-nia w takich diodach obydwu mechanizmów przebicia złącza. W zakresie małych wartości prądu lz przeważa mechanizm Zenera (pz < 0), w miarę wzrostu wartości prądu coraz intensywniej ujawnia się mechanizm lawinowy, w pewnym momencie następuje równowaga obu zjawisk (Pz = 0), po czym dominuje już efekt lawino-
10
Rys. 7.10. Wpływ temperatury na charakterystyki stabilitronu, w którym współistnieją mechanizmy przebić lawinowy i tunelowy
20 Uz [Vj
Rys. 7.11. Wpływ wartości napięcia stabilizacji Uz na rezystancję dynamiczną rz diod stabilizacyjnych wy (pz > 0).Widać to na charakterystykach przedstawionych na rysunkach 7.5 i 7.6, gdzie w punkcie A następuje kompensacja wpływu temperatury. W tym przypadku również i rezystancja dynamiczna zależy od temperatury, ale jest to znacznie silniejsza zależność niż przy polaryzacji w kierunku przewodzenia. Typową zależność przedstawiono w tablicy 7.4 i na rys. 7.11. Minimum tej rezystancji przypada na za-