Laboratorium Elektroniki cz I 7

150

Pz =

au,

(7.22)

U_Z(T₀) 9T

Rys. 7.9. Zależność wartości temperaturowego współczynnika p_z napięcia stabilizacji od wartości napięcia przebicia U_z

gdzie: U_Z(T₀) - napięcie stabilizacji w temperaturze odniesienia T₀.

Tablica 7.4

Parametry diod serii BZP683C przy Iz = 5 mA

Typ	C3V3	C3V9	C4V7	C5V6	C6V8	C8V2	C10	C16	C33
Pz f 10‘^4/Kl	-60	-55	-25	+30	+45	+55	+65	+80	+90
Rzim	100	100	90	60	15	10	15	40	90

Należy zwrócić uwagę na fakt, iż zmiana znaku współczynnika (3_Z następuje w okolicach napięcia stabilizacji U_z z przedziału 5 V - 7 V, gdzie też obserwujemy najmniejsze bezwzględne wartości tego współczynnika. Wynika to ze współwystępowa-nia w takich diodach obydwu mechanizmów przebicia złącza. W zakresie małych wartości prądu l_z przeważa mechanizm Zenera ((3_Z < 0), w miarę wzrostu wartości prądu coraz intensywniej ujawnia się mechanizm lawinowy, w pewnym momencie następuje równowaga obu zjawisk (|3_Z = 0), po czym dominuje już efekt lawino-

Rys. 7 10. Wpływ temperatury na charakterystyki stabilitronu, w którym współistnieją mechanizmy przebić lawinowy i tunelowy

¹ 1    10    20 U_z [V]

Rys. 7.11 Wpływ wartości napięcia stabilizacji U_z na rezystancję dynamiczną r_z diod stabilizacyjnych

wy (3z > 0).Widać to na charakterystykach przedstawionych na rysunkach 7.5 i 7.6. gdzie w punkcie A następuje kompensacja wpływu temperatury. W tym przypadku również i rezystancja dynamiczna zależy od temperatury, ale jest to znacznie silniejsza zależność niż przy polaryzacji w kierunku przewodzenia. Typową zależność przedstawiono w tablicy 7.4 i na rys. 7.11. Minimum tej rezystancji przypada na za-