145
145
(8.12)
(8.13)
J = e Oinn + |ipp)E
Współczynnik proporcjonalności przy natężeniu pola nazywa się konduktywno-ią (a, y) i jest odwrotnościąrezystywności a — —
P
(8.14)
a = e fti. n + pp p)
gdzie:
e - ładunek elementarny,
Jiu - ruchliwość elektronów, n - koncentracja elektronów,
|4p - ruchliwość dziur, p - koncentracja dziur.
półprzewodniku samoistnym n = p = iij, natomiast ruchliwość dziur jest dużo
tością:
G = e nt 0XD+łlp)
(8.15)
li przewodnictwo jest proporcjonalne do koncentracji elektronów
(8.16)
struje rysunek 8.11.
G
T
T
S ! I. Zależność konduktywności półprzewodnika samoistnego od temperatury a) zależność od temperatur}', b) zależność od odwrotności temperatury