IMGp99 (3)

139

>4*

IM

oMl.,1. ogrsnlc*rA Mli *•«« Ml Mm dla Mil tranzystorów o postaci podobnej d® enallto-uiwgo układu

^lUując dokładniej wr.l*.*k b). przyglądając w»oron (54.2) «ru IM.ft) etwlcrdzaey. 2* wy. etcnla na odpowiadane* eoblo bieguny obu transoltancjl *•<*

nastcpuj4=®

*.(* er. Hll»«r*>--‘54 ,1,

Rozvinx*uiłe 5S

Zscznlsay od wyznaczenia punktu pracy tranzystora.

ZakładnJnc napicelo polaryzują* Ugg - O.W. otrzywujeay to

U • —

^UCC-^UBE

8.3V

sra®

- 2S.125 nA

(55.1)

_B|lber er HI Hera) - Tię7Tk_g| IrJtTi ♦ gf^TTT

(64.12)

Zatea

WłdaO. lc gdyby wartość była znacznie anlejsza niZ w wdaniu, to wzór IS4.12) oprowadziłby »lę do wzoru (54 11). etyli rar.losowtntc efektu Hllt.rm dałoby wynik prawie dokładny *411 ebodtl o biegun Uzyskane wykrecy przestawione są na rys. B.S4.1.

I,

^ • 2.8125 - 2.51 *A

(Sb.2)

Odpowiedz 55

lo«» >

Ww*. n.65.1

Znak przybllżenia wynika zc zwykle niedokładnie znanej warlońcl 0 1 dodatkowo z przyjęcia równości dla tego panurotru wielko- 1 ■ałooygnalowego.

Kalecy paalęted o sprawdzeniu, ery tronzyator nlo pracuje w stanie nnoyconla. etyli ozy suk napite. przez któro płynie prąd l_c o wyliczonej wcu-toaci nie Jest większa od napięcia zasilania. W przypadku zadanie tranzynlor pracuje w stanie aktywny*

Na podstawie wyznaczonych prądów wyilczaay nieznane pam-otry aodclu hybryd-TI tranzystora

I,

2.5lc>

-7SSST—

0.0S654 -y- - srr

1SS.3)

«bV ~T~ - °-®⁷ ^

(55.4)

etyli

V©

1

Vt

-- j--- I.030A kO « 1.03 k(l

(55.b)

u praktyce nic on zwykle sensu przyjoouanic do dalszych obliczań zbyt ookladnych wyników pośrednich (np. I_c). gdy* Ju2 przy ich wyliczaniu wprowadzono powlen błąd (U^ • 0.7 V. w rzeczywistości Rę barda© rzadko wynosi dokładnie 330 kO. niedokładno wartość stalopriylowa £).

Przy wyznaczaniu ^ przyjęto teaperaturę złącza niewiele wyzsrą od tosperatury pokojowej.

Brukującą pojemność wyznaczymy z zależności

«■

■o * ~mz

- C

144 pF - 140 pF

155.61