I CD, scm. zimowy, 2006/7007 MjiCrriałozauiwstwo elektn czne
NAZWISKO i Imię
nr iilhumi
r*« zaliczeń
I Sieć krystalograficzna A3 jest opartą na układzie Vtry*talog™fic*nymi /i i1 > fOtrinrmrr^) rr«y2sJs*S§jjy»i
2 Wymiana elektronów jest podstawą wiązania:
(kowalencyjnego.. j°>*aą#egr> \vnt$prśvggo
3 W strukturach krystalicznych metali występująluki międzywęzłowe:
ęCzferoscTiw»i?> ■y~estipócSgrme. oń^Mt^ni'
4 Stopv metaliczne mogą być roztworami stałymi:
róz+tbjuęjSowymi. 4&S**zy*^lowy™p benPęrfn^rm
5 Ob\yody magnetyczne i magnesy trwale wykonuje sic z:
aniyJertjotntSg^etyków. ę~J>aramagne rykóvv^>
6 Materiał magnetycznie twardy powinien mieć dużą wartość: .vffomąsct, Gtuhtkcji remanencjj} ę^atężenia koercJP*
7 Stal krzemowa zimnowalcowana jest:
<;cJiamagnetykfe^i. ferro^ag^ćjykicm. Jp^jjptiyn
8 Temperaturowy współczynnik rezystancji metali jest:
dpd^jni, ęyjfemny^) ||011p^.
9 Napylanie katodowe stosuję się przy wytwarzaniu układów scalonych:
Hybrydowych cienkowarstwowychmon^tifeznych, hyb^dowyęfrgmS^giarstv, '
10 Materiały na rezystory precyzyjne powinny mieć małą wartość:
11 Elektrony są większościowymi nośnikami ładunku w póbarzewodniku domieszkowanym <^onorow^ Cakceptorów^ niecJdptktsSlćówanyrn
12 Do metod domieszkowania materiałów półprzewodnikowy dff*ffucza się: iny7iius(aęję, <J^pienie strefówp tr&StwUuicję
13 Epitaksję z fazy gazowej oznacza się w skrócie:
14 Złącze p-n jest podstawowym elemeiUcnr. wa£yś(ąra, (^foJodłodp^ teryk(i(oni
15 Przewodność elektryczna dielektryków ma przede wszystkimB&arakter. j§'elektronowyjo)ktfvv dfopkąiy