■
4S
UwrjtlcdnlaJąc vplyv temperatury iw U^. I ^ Czalednoće) 19.1) 1 15.2) w rozwiązaniu rad, 5) uzyokujeay
Mpowtodł 9 P « 390 »W Rozwiązani■ 9
►a colkowltą moc wydzlelm-jj u tranzystorze slcłftdąją sit K>c doprowadzona <So obwodu lv\zy l do obwodu kolektora
>v«l czynnik Jest u i*>r**lnyeh warunkach (prort v ober arze a)ctyurvy*) dominujący. gdy-? rc » Ig oraz > 0^.. Zatoń
p * *cHct «.«>
orai 1^. vyznac*a»y postępując analogiczni* Jak w /ad. S Otrzyoujcoy Ic - <0,6 mAi ■ 9.6 V
Zatca
JCC
Rus. R.10.1
Na podstawie praw KlnchholTa tany
VW * UCT * V!C*V ‘ U0C " 0 Uwzględniając, te lc * P^lj,. ocaz 20 łę*lg “ !c>dostajemy
P9t
(10.1)
(10.2)
110 3)
P - 3EO oW
(10.4)
rc*