75325 Slajd10 (127)

Tranzystor JFET - obrazowe przedstawienie działania

b

W tranzystorze polowym JFET elektrody D (dren)i S (źródło i typu n dołączone są dc płytki półprzewodnika typu p. a złącze pn występuje miedzy tą płytką a obszarem bramki G cc pokazane jest na rys. a). Jednorodny obszar półprzewodnika występujący między drenem i źródłem stanowi kanał, przez który płynie prąd i którego rezystancję można zmieniać przez zmianę przekroju kanału. Zmianę przekroju kanału uzyskuje się przez rozszerzenie lub zwężenie warstwy zaporowej złącza pn. a więc przez zmianę napięcia l'_GS polaryzującego to złącze w kierunku zaporowym.

Ze względu na to. że w obwodzie wejściowym tranzystora JFET występuje złącze pn spolaryzowane w kierunku zaporowym, rezystancja wejściowa takich tranzystorów jest bardzo duża.

Pod wpływem napięcia l'_GS polaryzującego zaporowo złącze pn. warstwa zaporowa rozszerzy się tak. jak to pokazane jest na rys. b), przekrój kanału tym samym zmniejszy się. a jego rezystancja wzrośnie. Łatwo można sobie wyobrazić, że dalsze zwiększanie napięcia U_G£ w kierunku zaporowym spowoduje, że warstwy zaporowe połączą się i kanał zostanie zamknięty, a jego rezystancja będzie bardzo duża.

Można powiedzieć, że tranzystor JFET jest swego rodzaju rezystorem sterowanym napięciowo.