42
Rys. 17. Absorpcja na swobodnych nośnikach w InAs typu n dla koncentracji elektronów (w jednostkach 1017 cm"3). A: 0,28; B: 0,85; C: 1,4; D: 2,5; E: 7,7; F: 39 [8]
Z dopasowania do krzywej eksperymentalnej, znając ruchliwość <fi>, można wyznaczyć masę efektywną <m'>. Przykład absorpcji na swobodnych nośnikach w InAs typu n przedstawiono na rys. 17.
Krawędź plazmowa
Zbadajmy przebieg współczynnika odbicia światła w pobliżu częstości cop. Dla uproszczenia pominiemy tłumienie, tj. przyjmujemy parametr tłumienia y = 0
e2 = 2nx = 0.
(4.20)
(4.21)
Jeżeli:
a) co < cup, to n = 0, a x2 = e„(^f-lj i
ex = — x2 < 0 (4.22) £j = m2 > 0. (4.23)
(4.24)
b) cu > cop, to x = 0, a n2 = e (1— j i
Stąd ze wzoru na współczynnik odbicia
(n-l)2 + x2 (n+l)2 + x2
wynika, że współczynnik ten dla częstości fali mniejszych od cop jest równy 1, a dla częstości większych wartość R gwałtownie maleje i osiąga zero dla cumin = (Op^/eJie^-l).
Ten gwałtowny spadek jest nazywany krawędzią plazmową, a minimum — minimum plazmowym. Z położenia krawędzi plazmowej lub minimum plazmowego możemy wyznaczyć masę efektywną nośników, jeżeli jest znana ich koncentracja. Dla półprzewodników częstość plazmowa wypada zwykle w obszarze podczerwieni, a jej położenie zależy przede wszystkim od koncentracji nośników N (rys. 18).
Zwróćmy uwagę, że jeżeli jest znana ruchliwość nośników, to możemy wyznaczyć czas relaksacji
biorąc wartość masy efektywnej m* z położenia krawędzi lub minimum plazmowego.
W zakresie całkowitego odbicia długość fali elektromagnetycznej w materiale staje się nieskończona (A = 2nc/a>ń), czyli wszystkie nośniki poruszają się w fazie. Ich ruch ma charakter drgań kolektywnych o częstości własnej równej cup. Mówimy o drganiach plazmy swobodnych nośników.
Energia pochłaniana przez ośrodek wyraża się przez współczynnik załamania n, tak więc dla częstości mniejszych od cup nie zachodzi pochłanianie fali. Można to tłumaczyć brakiem sprzężenia między drganiami nośników a falą świetlną — światło jest falą poprzeczną, drgania nośników mają charakter fali podłużnej.