228 (45)

Rezystor

Rys. 8.54. Kształty ścieżek przy korekcji rezystancji rezystorów nacinanych promieniowaniem

laserowym

Rys. 8.55. Zasada korekcji rezystancji rezystorów metodą nacinania laserowego ścieżek w kształcie litery L: a) zmiana oporności R w zależności od długości ścieżki oraz jej kierunku; b) parametry

geometryczne ścieżki [35]

Proces korekcji rezystora zależy w głównej mierze od własności cienkiej warstwy, a także od charakterystyki materiału podkładu, na którym została ona naniesiona. Efektywność nacinania zależy z kolei od dopuszczalnej prędkości wykonywania ścieżki przy określonej jej szerokości, uwarunkowanej częstotliwością powtarzania impulsów laserowych, ich energią oraz sposobem zogniskowania promieniowania na powierzchni rezystora. W rezystorach korygowanych metodą laserową mogą wystąpić szumy i niestabilności niektórych parametrów. Ma na nie wpływ m.in. jakość krawędzi ścieżki zależna od warunków prowadzenia procesu nacinania, tj. od częstotliwości po-

228