PIC10

**86

36

a)

b)

m

Si

«

45

i

Rys. 2.1. a) Charakterystyka I - U diody półprzewodnikowej Przy polaryzacji w kierunku przewodzenia i zaporowym, b) charakterystyki I - U diody germanowej i krzemowej przy polaryzacji przewodzenia

Natężenie prądu płynącego przez Idealne złącze p-n w fun.’ opii

Z2-2.2/

U - napięcie polaryzacji.    T- temperatura |*K1.

5 - powierzchnia złącza. l)p.D„ Małe dyfuzji dziur i elektronów.

U, 1^- drogi dyfuzji elektronów i dziur.

rif. p_m- koncentracje nośników mniejszościowych,

*=8.62*IO-⁵eV/K- stała Boltzmanna,

e/=l .6-10 ^wC - ładunek elementarny.

2.1. Rzeczywiste złącze p-n. Dioda półprzewodnikowa

W przypadku rzeczywistych złącz p-n wartość płynącego przez nio wypadkowogo prądu zależy od nustępujących czynników:

(a)    wartości rezystancji szeregowej

(b)    zjawisk rckombinacyjno*generacyjnych (w tym przebicia) w obszarze złącza

(c)    zjawisk powierzchniowych

Przy polaryzacji złącza rzeczywistego w kierunku przewodzenia oprócz prądu dyfuzyjnego należy uwzględnić

’ A Świt: Przyrządy półprzewodnikowe. WNT. Warszawa