263

263



5.3.1. Wyznaczanie charakterystyki diody półprzewodnikowej

Aby wyznaczyć doświadczalnie zależność I = /*(£/) dla złącza p—n, należy stosować dwa układy połączeń (rys. 5.38 i 5.39). Konieczność ta wynika stąd, że natężenie prądu w kierunku przewodzenia jest kilka rzędów wielkości większe od natężenia prądu w kierunku zaporowym.

UWAGA!


Zasadę połączeń diody w kierunku +i. przewodzenia i zaporowym oraz wykorzystanie jej jako elementu prostującego przedstawiają rysunki 5.38,

5.39 i 5.40. Łączenia obwodu dokonać wg schematów na płytce montażowej.    2

Wykonanie pomiaru:

Rys. 5.38


1.    Połączyć układ w kierunku przewodzenia na płytce montażowej, zgodnie ze schematem na rysunku 5.38. Gniazdka + i -M podłączyć do zacisków zasilacza oznaczonych jako Up.

2.    Potencjometrem na zasilaczu zmienić wartość napięcia przykładanego do złącza w zakresie

U


^ uzgodnionym z prowadzącym ćwiczenia i odczytać natężenie prądu dla każdej wartości nastawionego napięcia.

Dane zapisać w tabelce.

3.    Połączyć układ w kierunku zaporowym na płytce montażowej, zgodnie ze schematem na rysunku 5.39. Gniazdka + i — podłączyć do zacisków zasila-czą oznaczonych jako Uz.

4.    Potencjometrem na zasilaczu zmieniać napięcie o wartość uzgodnioną z prowadzącym i odczytywać natężenie prądu dla każdej wartości napięcia. Dane zapisywać w tabelce. Obserwacja prostowniczego działania złącza p—n na ekranie oscyloskopu jest możliwa po podłączeniu do układu (rys. 5.40) płytki montażowej


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
13 Tablica 3 Wyznaczone doświadczalnie zależności umożliwiające określanie wytrzymałości
Tablica 3 Wyznaczone doświadczalnie zależności umożliwiające określanie wytrzymałości
13 Tablica 3 Wyznaczone doświadczalnie zależności umożliwiające określanie wytrzymałości
Tabela wzorów wytrzymałościowyh Wyznaczone doświadczenie zależności umożliwiające określanie wytrzym
Tablica 3 Wyznaczone doświadczalnie zależności umożliwiające określanie wytrzymałości
1id104 Ćwiczenie 19Badanie charakterystyki diody półprzewodnikowej 19.1. Wstęp teoretyczny Półprzew
4. Jak zmiana temperatury wpływa na parametry i charakterystykę diody półprzewodnikowej? 1N4001 -
PIC10 **86 36 a) b) mSi « 45 i Rys. 2.1. a) Charakterystyka I - U diody półprzewodnikowej Przy
Slajd7 Charakterystyki diody półprzewodnikowej lD
Laboratorium Podstaw Elektroniki — „Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych” Aby
Laboratorium Podstaw Elektroniki - „Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych" Aby
skany018 gdzie lD ID(UD) - zgodnie z charakterystyką diody. Zatem na podstawie równania (3.12) wyzna
skany032 gdzie I0 --- ID(UD) - zgodnie z charakterystyką diody. Zatem na podstawie równania (3.12) w
99 (40) 13. Wyznaczanie rozkładu natężenia pola mikrofalowego... 99 diody półprzewodnikowej. W wynik

więcej podobnych podstron