248 (52)

Tranzystor bipolarny

	n
	Si-n**

Osadzanie warstwy epitaksjalnej

ł

Pierwszy proces fotolitografii (fotomaska bazy)

ł
pr J n	\ SiO2
n^++	Dyfuzja lokalna
	boru

ł

Dragi proces fotolitografii (fotomaska emiteraI

i P⁺i n^ł

n**l p⁺j

Dyfuzja lokalna n++4- fosforu

Trzeci proces fotolitografii (fotomaska okien kontaktowych)

		.......u ) '—f n HŻll pY Etli n^++ -

Naniesienie

metalizacji

ł

Czwarty proces fotolitografii (fotomaska ścieżek metalicznych i pól kontaktowych)

	n^++i	n+^+j
		n^++

Wytrawienie JL metalizacji

ł

Testowanie

ł

Cięcie płytki

ł

Mikromontaż i zamknięcie w obudowie

Rys. 5.9

Ważniejszo fazy procesu wytwarzania tranzystora epiplanarnego