I TERMIN 2 (2)

9) Narysuj układ polaryzacji tranzystora bipolarnego n-p-n ze sprzężeniem emiterowym. Oznacz źródła napięcia stałego, rezystory i podaj wzór okroślajflcy przybliżoną wartość prądu kolektora.

10) Narysuj schemat zastosowania wzmacniacza operacyjnego w układzie (topologii) wzmacniacza odwracającego. Oznacz oporniki i podaj relację określającą wzmocnienie układu.

,/    ^:    -< r*    i"'-'’    • •

B. Na ocenę wyższa - część B będzie oceniana tylko pod warunkiem udzielenia bezbłędnych odpowiedzi na

wszystkie zadania z części A.

11)    Narysuj schemat wzmacniacza ze wspólną bazą oraz jego schemat małosygnałowy w zakresie wielkich częstotliwości, podaj relacje określające wzmocnienie oraz górną częstotliwość graniczną tego wzmacniacza.

12)    (*) Narysuj schemat wzmacniacza różnicowego z parą tranzystorów n-FET zasilanego ze źródła prądowego o wydajności I = 14 mA. Zaznacz wyjścia odwracające i nieodwracające. Podaj wzmocnienia układu dla obu wyjść wzmacniacza. Przyjmij, że zastosowano tranzystory o parametrach: | loss| =10 mA, |Ugstl = |Ut| =3V.

13)    (*) Narysuj schemat pętli PLL z filtrem RC. Podaj (przyjmij) zależności określające charakterystyki bloków pętli, a następnie podaj zależności określające zakres trzymania i chwytania pętli.

14) (*) Zaprojektuj wzmacniacz selektywny o częstotliwości rezonansowej 768 kHz oraz dobroci charakterystyki Q= 20. Przyjmij, że dysponujemy cewką o indukcyjności L = 80 pH i dobroci Ql = 300.

15)    (*) Zaprojektuj układ wzmacniacza nieodwracającego o wzmocnieniu równym 10. Podaj wartość górnej częstotliwości granicznej, jeśli pole wzmocnienia zastosowanego wzmacniacza operacyjnego wynosi GB = 99 MHz.

C. Zaliczenie z laboratorium otrzymają osoby, które odpowiedzą bezbłędnie na wszystkie pytania w części A oraz co najmniej na 2 pytania oznaczone (*) w części B.