6.1. PODZIAŁ TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH.
Ze względu na wydzielaną moc, tranzystory dzielimy na:
• Małej mocy - do 0,3 W.
• Średniej mocy - do 5 W.
• Dużej mocy - powyżej 5 W, nawet do 300 W.
Ze względu na maksymalną częstotliwość generacji, tranzystory dzielimy na:
• Małej częstotliwości - do kilkudziesięciu MHz.
• Wielkiej częstotliwości - nawet do kilku GHz.
6.2. ZASADA DZIAŁANIA TRANZYSTORA.
Działanie tranzystora bipolarnego rozpatrzymy na przykładzie polaryzacji normalnej tranzystora, tzn. gdy złącze emiter-baza jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a złącze baza-kolektor spolaryzowane w kierunku zaporowym. Stan taki jest zapewniony, gdy spełniona jest zależność między potencjałami na poszczególnych elektrodach:
- VE <Vh<Vc~ dla tranzystora n-p-n\
- Vg > VH>VC- dla tranzystora p-n-p.
Na rysunku 6.2 pokazano rozpływ prądów i spadki napięć między poszczególnymi elektrodami.
Rys. 6.2. Oznaczenie rozpływ* prądu w tranzystorze i spadki napięcia na nim.
Ib ~ prąd bazy, Ic - prąd kolektora, IE - prąd emitera, UCE - napięcie kolektor-emiter, U be -napięcie baza-emiter, Uch — napięcie kolektor-baza, VE—potencjał emitera, F« — potencjał emitera, Vc—potencjał kolektora.