254 (49)

— 254

Tranzystor bipolarny

Dalsze uściślenia modelu zjawisk zachodzących w tranzystorze, przedstawione na rys.

5.13, 5.14, wynikają, z uwzględnienia dodatkowych składowych prądów emitera i bazy. Na rysunku 5.13 przedstawiono składową I_pE prądu dyfuzji dziur z bazy do emitera, gdzie rekombinują one z elektronami. Składowa l_pE cyrkuluje w obwo-

Rys. 5.13

Dalsze uściślenie obrazu zjawisk w tranzystorze; uwzględniono prąd dyfuzji dziur z bazy do emitera I_pe

dzie wejściowym dając jednakowy wkład do prądu emitera i prądu bazy (w złączu niesymetrycznym n ^{+ +}-p⁺ strumień dyfuzji dziur z bazy do emitera jest znacznie mniej,szy niż strumień dyfuzji elektronów z emitera do bazy). Na rysunku 5.14 uwzględniono również składową prądu rekombinacji w obszarze warstwy

Rys. 5.14

Kolejne uściślonio obrazu zjawisk w tranzystorze; uwzględniono prąd rekombinacji w warstwie zaporowej złącza E-B

IrEB

zaporowej (por. „przybliżenie drugiego stopnia” w rozdziale 3). To dokładniejsze modele wykorzystamy w p. 5.5 do analizy zależności wzmocnienia prądowego od parametrów konstrukcyjno-technologicznych tranzystora.

Pełny obraz rozpływu prądów' w tranzystorze przedstawiono na rys. 5.15, na którym uwzględniono również tzw'. prąd zerowy /_CB0.

W tranzystorze krzemowym jest to prąd nośników mniejszościowych generowanych w obszarze warstwy zaporowej złącza C-B spolaryzowanego w kierunku zaporowym. Para elektron-dziura powstająca w warstwie zaporowej jest natychmiast „wymiatana”, przy czym elektron podąża do kolektora, a dziura do bazy. Prąd Icbo dodaje się do prądu kolektora, a odejmuje od prądu bazy. Zatem efektywnie w obwodzie kolektora płynie prąd

(5.10)

IC — E +IcBO