293 (33)

- 293

Praca nieliniowa dynamiczna

Rys. 5.46

Proces przełączania tranzystora w układzie WE: a) układ włączenia; b) trajektoria punktu pracy na polu charakterystyk wyjściowych; rozkłady konoentracji nośników nadmiarowych w bazie dla procesu włączania (c) i wyłączania (d)

Interpretację fizyczną przebiegów czasowych przeprowadzimy dla uproszczenia na przykładzie tranzystora bezdryftowego. W tym tranzystorze wystarczy uwzględnić tylko transport dyfuzyjny nośników mniejszościowych w bazie. W tranzystorze dryftowym należałoby natomiast uwzględnić zarówno dyfuzję jak i unoszenie nośników w bazie (w stanie nasycenia warunki transportu nośników w kierunku normalnym i inwersyjnym są całkowicie różne, co stwarza dodatkowe trudności interpretacyjne) oraz nie można by pominąć ładunku nośników magazynowanych w obszarze kolektora. Ponieważ jednak przebiegi prądów i napięć w stanie nieustalonym są jakościowo jednakowe dla obu rodzajów tranzystorów, interpretację fizyczną ograniczymy do prostszego przypadku tranzystora bezdryftowego. Kluczem do zrozumienia procesów przejściowych jest zjawisko przeładowania obszaru bazy, które ilustrują rozkłady koncentracji nośników mniejszościowych nadmiarowych, przedstawione na rys. 5.46e, d dla włączania i wyłączania. Dla większej przejrzystości na tych rysunkach nie pokazano ładunków warstw zaporowych, jednak wpływ zmian tych ładunków na procesy przejściowe będzie uwzględniany. Teraz zostaną wyjaśnione przebiegi prądów i napięć przedstawione na rys. 5.47.