276 (42)

- 276

Tranzystor bipolarny

przetnie się linią stałego napięcia (U _Ea = const), to większym napięciom |{7_CS| będą odpowiadały większe wartości prądu I_E. Można by też uczynić odwTotnie, tj. przeciąć rodzinę charakterystyk wejściowych linią stałego prądu (I_E - const). Wówczas należałoby udowodnić, że większym wartościom napięcia \U_cl>\ odpowiadają mniejsze wartości napięcia U_EB. Na rysunku 5.31b wykazano, żc tak jest w istocie. Interpretacja zjawiska jest identyczna jak na rys. 5.31a. Zmienia się tylko jeden warunek brzegowy, a mianowicie zamiast U_EB = const, co ozna-

cza n_b (0) = const, jest I_E = const, co oznacza‘    = const, czyli stałe nachy-

(137 )y = 0

lenie rozkładu koncentracji elektronów w bazie. Widać, że napięcie U_EB maleje w miarę wzrostu wartości napięcia | U_CB\.

Uogólniając powyższe rozważania można stwierdzić, że zjawisko modulacji efektywnej szerokości bazy powoduje zmiany wielkości wejściowych (I_E, U_EB) w^rskutek zmiany napięcia wyjściowego (U_CB), przy czym to oddziaływanie zwTotne jest związane z dyfuzyjnym charakterem transportu nośników w bazie. Stąd wynika wniosek, że w wyidealizowanym tranzystorze dryftowym (transport nośników w bazie tylko pod wypływem unoszenia) nie ma oddziaływania zwrotnego, czyli charakterystyki wejściowe nic zależą od napięcia U_CB. W rzeczywistym tranzystorze dryftowym istnieje niewielka składowa prądu dyfuzji obok dominującej składowej prądu unoszenia (chodzi o relację między tymi dwiema składowymi prądu na początku bazy, tzn. dla x - 0), dlatego pewne oddziaływanie zwrotne obserwuje się również i w tych tranzystorach. Jest ono jednak około rząd wartości słabsze niż w tranzystorach bezdryftowych, co łatw^ro można zrozumieć porównując rozkłady koncentracji na rys. 5.31a, b (tranzystor bezdryftowy) i na rys. 5.32a, b (tranzystor dryftowy).

Rys. 5.32

Wpływ modulacji efektywnej szerokości bazy (zjawiska Early’ego) na pracę tranzystora dryftowego: a) zmiany prądu I_E przy Ueb = const (nieznaczna zmiana nachylenia dją/d? dla x — 0); b) zmiany napięcia XJeb przy = const (nioznaczna zmiana wartości «i(0))

Charakterystyki wyjściowe

Postać analityczną zależności I_c{U_cb)_1e można otrzymać na podstawie równania (5.53). Ponieważ parametrem jest prąd emitera, dogodnie jest zatem posłużyć się zależnością (5.55). Jeżeli I_E > I_cs, to w zakresie normalnym (U_CB < 0) prąd Ic, praktycznie biorąc, nie zależy od napięcia U_CB i jest liniowo zależny od prądu 1_E (jeżeli a._N = const) I_c = cf._NI_E.