385 (13)

- 385

Tranzystor „t" U_c=0

Tranzystor MIS

Tranzystor „W"

U_e=o Kanał typu n

A    °A o

\    ° Ao ^A° Ao o A

A₀ A° _Ao°A °A o_a °a °a °^a

| Ao Ąo Ąo oĄ? oą° Ąo _/A° Podłoże typ p j

U_a<0

H

I- y'l -kanał IVA — warstwa zubożona o    — dziury

•    — elektrony

© — efektywne ładunki stanów powierzchniowych A —jony domieszki akceptorowej (±> —jony domieszki donorowej

Rys. 6.23

Ilustracja zjawisk w tranzystorach typu „W” oraz typu „I” dla trzech stanów polaryzacji: a) stan neutralny, Uos — Ups — 0; b) Uas # 0, Ups — 0; c) Vas ^ 0, Ups ^ 0;

Na rysunku 6.23a przedstawiono sytuację w obu tranzystorach dla stanu neutralnego (wszystkie napięcia równe zeru). W tranzystorze „W” kanałem jest warstwa typu n domieszkowana donorami. W tranzystorze „I” kanałem jest warstwa inwersyjna typu n, powstała wskutek przeciągnięcia dużej liczby elektronów do powierzchni przez dodatni ładunek powierzchniowy Q_sr. Jednakową przewodność obu kanałów symbolizuje jednakowa liczba elektronów (po sześć). Pod kanałem w tranzystorze „I” jest warstwa zubożona. W stanie neutralnym nie ma jeszcze istotnych różnie między obu tranzystorami poza tą, że kanał w tranzystorze „W” jest obojętny elektrycznie (równowaga ładunku elektronów i jonów dodatnich), a w tranzystorze „I” jest naładowany ujemnie. W przypadku ujemnej polaryzacji bramki (rys. 6.23b) elektrony są odpychane w głąb pół-

15 Przyrządy półprzewodnikowe...