396 (17)

- 396

Tranzystory połowę

—    bramka tranzystora jest odizolowana od kanału, dlatego przedstawia się ją w postaci symbolu kąta prostego, którego jedno ramię jest równoległe do kanału, punkt zaś łączący dwa ramiona tego symbolu (wierzchołek kąta prostego) jest skierowany ku elektrodzie źródła;

—    podłoże wraz z kanałem stanowi złącze p-n, dlatego przedstawia się je w postaci linii prostopadłej do kanału ze strzałką, której zwrot wskazuje, jaki jest typ kanału, co zarazem jednoznacznie definiuje typ podłoża.

Parametry statyczne    6.3.2.4

Najważniejszym parametrem statycznym jest napięcie progowe U_T, określone wzorem (6.64). W katalogach parametr ten jest podawany jako U_cs(th) (niekiedy f/_CS(XO) dla tranzystorów z kanałem wzbogacanym oraz 1/gs<o//} dla tranzystorów z kanałem zubożanym; napięcie U_cs{0f_f) przez analogię do tranzystorów PNFET jest często nazywane napięciem odcięcia). Napięcie U_T, niezależnie od rodzaju tranzystora, jest technicznie definiowane jako taka wartość napięcia U_GS, przy której prąd drenu osiąga określoną wartość, np. 1 łub 10 p,A (przy ustalonym napięciu V_DS).

Poza tym do ważnych parametrów statycznych podawanych w katalogach należy zaliczyć:

—    BUcss —napięcie przebicia między bramką a podłożem przy zwartych elektrodach drenu i źródła, mierzone przy określonej wartości prądu I_G¹'^>;

—    BU_dss — napięcie przebicia między drenem a źródłem przy zwarciu bramki ze źródłom (U_GS = 0): jest to przebicie lawinowe;

—    Idss — prąd nasycenia tranzystora, gdy’ elektrody bramki i źródła są zwarte (U_GS = 0) oraz przy określonym napięciu U_DS; w tranzystorach z kanałem zubożanym prąd I_DSs jest mierzony w zakresie nasycenia charakterystyki I_D(U_DS), natomiast w tranzystorach z kanałem wzbogacanym jest to prąd wsteczny złącza dren-podłoże;

—    less — prąd upływu bramki w przypadku zwartych elektrod źródła i drenu (U_DS — 0) oraz dla określonego napięcia U_Gs, zawierającego się w granicach 50...80% napięcia przebicia J3Z7_CSS;

—    ^rDS(.ON) — rezystancja statyczna między drenem a źródłem w warunkach maksymalnego prądu I_D;

—    rDSiOFF) — rezystancja statyczna między drenem a źródłem w warunkach wyłączonego kanału (dla |C/_GS| < |ł7_os(,_)l)| w przypadku tranzystora z kanałem wzbogacanym oraz |(7_CS| > | ^cs(o//)l ^w przypadku tranzystora z kanałem zubożanym).

Modele statyczne    6.3.2.S

Najprostszy model statyczny’ tranzystora MIS przedstawiono na rys. 6.30a, na którym zależne źródło prądowe ma postać odpowiedniego równania cliarak-

¹¹ Interesującą właściwością tranzystorów MIS jest możliwość przebicia dielektryka pod bramką i nieodwracalnego uszkodzenia tranzystora pod wpływem dotyku ręką do końcówki bramki. Jest to powodowane dużą rezystancją dielektryka (ok. 10¹⁴ Cl) i brakiem odpływu ładunku dostarczanego do bramki. Na przykład wystarczy dostarczyć do bramki ładunek 1 nC, by spowodować przebicie w tranzystorze oC, = 4 pF i napięciu przebicia 250 V. Dlatego podczas manipulowania tranzystorem (przy montażu) należy przestrzegać określonych zasad — najczęściej ręka operatora jest uziemiana za pomocą bransolety nakładanej na przegub, a wszystkie końcówki tranzystora są zwierane.