DSC00213 (13)

TRANZYSTOR UNIPOLARNY IGFE1

Z izolow.inq bramką (IGFET. Insulated Gale FET) - bramka jest odizokwana od kanału; ZC względu na technologię wykonania rozróżnia się tranzystory:

MtSFEl (Melal-lnsulotor-ScmiconductarFET) wykonane z półprzewodnika monokrystalicznego. ponieważ lulaj najczęściej rolę izolatora pełni Uenek Krzemu SKJ_? (ang. oxide). toteż Iranzyslory lo częściej nazywa się MOSFET (Metol-Ox>de-Semiconductor FET. MOSFET) lub krócej MOS.

Oodalkowo Iranzyslory MOS dzieli się na:

tranzystory z kanałem zubożanym, w których przy braku napięcia btamka-iródto kanał Jest otwarty:

tranzystory z kanałem wzbogacanym, w których przy braku napięcia bramka-źródło kanał jest całkowicie zatkany.

TFT (ThinFHm Transistor) wykonane z półprzewodnika po&krystabcznego Ponieważ tranzystory tego typu są wytwarzane w taki sam sposób, jak układy scalone cienkowarstwowe.toteż-y---|t-----ya.....nicieni Tri myl