DSC00227 (8)
PARAMETRY TRANZYSTORÓW UNIPOLARNYCH
Podstawowymi parametrami tranzystorów są:
•nachylenie charakterystyki sterowania nazywane transkonduktancją tranzystora i oznaczane symbolem •dynamiczna rezystancja wyjściowa rDS,
•maksymalne napięcie dren-źródło Uos,
•maksymalne napięcie bramka-źródto UGS.
•całkowita moc strat tranzystora Ftór,
•prąd wyłączenia prąd drenu dla napięcia bramka-źródto Um nie
przekraczającego wartość UGS{r^f];
•maksymalny prąd drenu/gss,
•maksymalny prąd bramki less . lasmm
p*, - transkonduktancja tranzystora
ó/o - przyrost prądu drenu
Uqs - napięcie bramka-źródto
AUqs - przyrost napiyda bramka-źródto
SI fos"* -■ dynamicznarezystancjawyjściowa
T7ń
Udu - napięcie dren-źródlo
| At/na -przyrostnapięciadren-źródto
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
DSC00228 (9) PARAMETRY TRANZYSTORÓW UNIPOLARNYCH Podstawowymi parametrami tranzystorów są: •nachylenDSC00211 (11) TRANZYSTOR UNIPOLARNY JFET Przebieg charaktery*tki przejściowej zależy od temperaturyDSC00213 (13) TRANZYSTOR UNIPOLARNY IGFE1 Z izolow.inq bramką (IGFET. Insulated Gale FET) - bramka jDSC00217 (14) TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET 20 względu na niewielką grubość warstwy izolacypiej istniDSC00219 (15) TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET Zb względu na niewielką grubość warstwy izolacyjnej j&DSC00220 (13) TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET sieoowyDSC00221 (11) TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET z kanałem zubożanym z kanałem typu P z kanałem typu N z kPRZYSTAWKA POMIAROWA Ferryty - podstawowe parametry Ferryty są półprzewodnikami, ich rezystywność jeInstrumentami koordynującymi są: CENY = DOCHODY - ZYSKI Parametry te są nośnikami informacji, na pod227 (57) - 227Diody tunelowe Ponieważ w zestawie podstawowych parametrów technicznych są, podawane wimg344 Parametrami rozkładu są teraz: wektor średnich fi oraz macierz kowariancji Z. Macierz ta zalestr21 (17) Matematyczna ocenaprostej kaiibracyjnej Parametry prostej b i a Y = b x + a są błędem prA,*y *«*€*<-***> Xi są rozłączne VxViX £ XiAa,i(x) Xi pokrywają słowo, a tranzycje są zgodnePoznaj C++ w$ godziny0022 6 Godzina 1 Wszystkie cechy tranzystora są „zamknięte” (hermetyzowane) w o68064 Image74 (4) Projekty AVT ■ Takimi tranzystorami są np. MOSFET-y większej mocy. Ale ich zastosowięcej podobnych podstron