TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET
sieoowy |*nv>A(l
Ze względu na niewielką grubość warstwy izolacyjnej istnieje reaine niebezpieczeństwo jej fizycznego uszkodzenia (przepalenia) na skutek doprowadzenia z zewnątrz duZego ładunku elektrostatycznego. Dlatego układy elektroniczne zawierające tranzystory MOS (np. powszechnie stosowane w sprzęcie komputerowym układy CMOS) są przechowywane np. w folach przewodzących mających zapobiec przedostanu się ładunków do obwodów.