DSC00217 (14)
TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET
20 względu na niewielką grubość warstwy izolacypiej istnieje realne niebezpieczeństwo jej fizycznego uszkodzenia (pizepatenia) na skutek doprowadzenia z zewnątrz dużego ładunku etektr ostatycznego. Dlatego układy eieklronic/no zawierające tranzystory MOS (np powszechnie stosowane w sprzęcie komputerowym układy CMOS) są przechowywane np. w idłtach przewodzących mających zapobiec przedostaniu się ładunków do obwodów.
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
DSC00219 (15) TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET Zb względu na niewielką grubość warstwy izolacyjnej j&
DSC00216 (12) TItMSnrSTOIt UNPOLAMMY M06FET Ze względu na mewiej grubość warstwy izołacyjnej istniej
DSC00220 (13) TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET sieoowy
DSC00221 (11) TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET z kanałem zubożanym z kanałem typu P z kanałem typu N z k
DSC00286 (14) Białka występujące w błonieo IntegraIne ■ przebijają na wylot dwu wa
100s96 iVf iVf 1 ‘topnift ^VW#cJ ?o 20 W29 «?duV^ d^b
DSC00211 (11) TRANZYSTOR UNIPOLARNY JFET Przebieg charaktery*tki przejściowej zależy od temperatury
DSC00213 (13) TRANZYSTOR UNIPOLARNY IGFE1 Z izolow.inq bramką (IGFET. Insulated Gale FET) - bramka j
DSC00215 (13) TRAMZY8TOR UNIPOLARNY MOSFETEJ. n W podłożu - płytce słabo domseszkowanego półprzewodn
DSC00227 (8) PARAMETRY TRANZYSTORÓW UNIPOLARNYCH Podstawowymi parametrami tranzystorów są: •nachylen
DSC00228 (9) PARAMETRY TRANZYSTORÓW UNIPOLARNYCH Podstawowymi parametrami tranzystorów są: •nachylen
DSC00299 (14) ia do Przez dany punkt D na płaszczyźnie (3 przyjmij topnie ł ]) prostą d leżącą na
486 2 14 własności elektryczne MATERIAŁÓW Ze względu na to. że emiter jest typu p. polaryzacja w złą
img058 (37) Instrukcja programu SPICE... 18 TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET Istnieją 3 modele tranzysto
DSC64 (14) Uyj 2. Kalcyferole — witaminy O Ze względu na niekorzystny wpływ tlenu (powietrza) proce
P1010025 (14) Podział podłoży mikrobiologicznych. >i ze względu na zawartość składników odżywczyc
więcej podobnych podstron