DSC00215 (13)

TRAMZY8TOR UNIPOLARNY MOSFET

EJ.

n

W podłożu - płytce słabo domseszkowanego półprzewodnika ty-puP aiboN tworzono są dwa małe obszary o pzecjwnymtyp^ ptzewpcJnidyMi -odpowtodnło N t- lub P* (N«P+ oznacza silno dointoszkowałte tych obszarów), Te silnie domieszkowane obszary kwot/ą dian oraziródło do których doprowadzane aq kontakty PowwztirfwpoJpi/ewwinfkapoiraęozy drenem! źródłem jest pokryte cienką warstwądietehtryha, grubotólej warstwy^Kintdtt kłlkunasjunm Na dłatoMryfc napytana lestwaralwaiiielenebiprMHinjftywgn (metalu) tworząca bramkę