DSC00212 (13)

immstnrtm umfolaiwi wet

l kttommną brwią flBFET, ŁwtialpJGW FET) bramka psi odgotawanaod kanału, ze m7^hi m    wykonania rozróżnia, się tranzystory

WIT (Łkuk^kwiWor SemconćtJdof ht T)wykonane / rx>lpł/ewodrika memal^elWłiegą ponewtó MBina|czą6clB| rolę izototorapeW lenek krzemu SI0₇ jaagcidefctPlB* tranzystory te częściej nazywa się MOSFET (Afetel Oridfr-SWwiMtelaf F€T. MOSFET) lub Krócej MOS OodaBwan tranzystory MOS dziel się na:

tan/ytoory z kanałem zubożanym, w ktteych przy brafejnaptęcwbrarrie-źródio kanał jest otwarty

tranzystory z kanafcan wzbogacanym, w którycb przy braku napięcia bramica-iibdto kanni pet całkowicie zatkany.

TFTtltoefftoi Ttanwtar) wykonane z półprzewodnika pol&r/słałiczrtegG. Ponieważ fcmzyatory lago typu są wytwarzane w taki sam sposób, jak układy scalone cbMiwwapWwowaitoteZ nazywane są traggyitofMmcienkiiwafrtwwwymŁ