DSC00223 (12)
OZNACZENIA TRANZYSTORÓW UNIPOLARNYCH FET
|
•. jFir^riz] |
rA)f. : |
|
UWj |
dren
W? I
dren
bramka
U
05 bramka
\ /s4
A T
źródło
źrodio
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
DSC00224 (10) OZNACZENIA TRANZYSTORÓW UNIPOLARNYCH FET źródło
DSC00213 (13) TRANZYSTOR UNIPOLARNY IGFE1 Z izolow.inq bramką (IGFET. Insulated Gale FET) - bramka j
DSC00207 (8) TRANZYSTOR UNIPOLARNY JFET Gdy t/(i:rO, wńwc/as nośniki większoftoowe płynn bez przeszk
DSC00211 (11) TRANZYSTOR UNIPOLARNY JFET Przebieg charaktery*tki przejściowej zależy od temperatury
DSC00217 (14) TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET 20 względu na niewielką grubość warstwy izolacypiej istni
DSC00219 (15) TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET Zb względu na niewielką grubość warstwy izolacyjnej j&
DSC00220 (13) TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET sieoowy
DSC00221 (11) TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOSFET z kanałem zubożanym z kanałem typu P z kanałem typu N z k
DSC00225 (11) CHARAKTERYSTYKI PRACY TRANZYSTORÓW UNIPOLARNYCH prąd drenu /D
DSC00227 (8) PARAMETRY TRANZYSTORÓW UNIPOLARNYCH Podstawowymi parametrami tranzystorów są: •nachylen
DSC00228 (9) PARAMETRY TRANZYSTORÓW UNIPOLARNYCH Podstawowymi parametrami tranzystorów są: •nachylen
10. Tranzystory połowę (unipolarne — FET)............................... 121 10.1.
skanowanie0054 12.2. Oznaczanie wilgotności skrobi Odczynniki Skrobia. Szkło i aparatura Eksykator,
45464 skanowanie0054 12.2. Oznaczanie wilgotności skrobi Odczynniki Skrobia. Szkło i aparatura Eksyk
skanowanie0054 12.2. Oznaczanie wilgotności skrobi Odczynniki Skrobia. Szkło i aparatura Eksykator,
DSC00018 (18) Tranzystor unipolarny (połowy) • Działanie jest oparte na Iran sporc
więcej podobnych podstron