8625

1. Wstęp teoretyczny

Do grupy tranzystorów unipolarnych należą tranzystory z izolowaną bramką (IGFET). W obrębie rodziny tranzystorów IGFET wyróżniamy:

•    tranzystory MIS (ang. Metal-Insulator-Semiconductor, co oznacza układ: inetal-izolator-pólprzewodnik)

•    tranzystory cienkowarstwowe TFT

Szczególnym przypadkiem tranzystorów MIS są tranzystory MOS (ang. Metal-Oxide-Semiconductor, co oznacza układ:    metal-tlenek-pólprzewodmk) Są one używane

nieporównywalnie częściej niż tranzystory cienkowarstwowe

1.1 Rodzaje tranzystorów unipolarnych MOS

Tranzystory połowę MOS dzielą się na „normalnie załączone" i „normalnie wyłączone" W każdej z tych dwu podgrup wyróżniamy tranzystory z kanałem typu n i z kanałem typu p

a)    b)

Rys. 1 Oznaczenia graficzne tranzystora unipolarnego MOS z kanałem zubożanym, tranzystor „normalni załączony" a) typu p; b) typu n a)    b)

Rys. 2. Oznaczenia graficzne tranzystora unipolarnego MOS z kanałem wzbogacanym tranzystor normalnie wyłączony" a) typu p b) typu n.

1.2 Budowa i zasada działania tranzystora unipolarnego MOS

a)    b)

S G D    S G D

Rys. 3 Tranzystor unipolarny MOS: a) tranzystor „normalnie wyłączony",b) tranzystor „normalni załączony"

W tranzystorach polowych MOS występują 4 elektrody:

• Źródło (ang Sonrce), oznaczone literą S Jest elektrodą, z której wypływają nośniki ładunku

do kanału Prąd źr ódła oznacza się jako I_s.

-2-